[發(fā)明專利]二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201180013043.8 | 申請(qǐng)日： | 2011-03-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102792184A | 公開（公告）日： | 2012-11-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 佐藤賢治 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社島津制作所 |
| 主分類號(hào)： | G01T1/24 | 分類號(hào)： | G01T1/24;A61B6/00 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 二維 陣列 射線 檢測(cè)器 檢查 方法 | ||
1.一種二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法，該二維陣列X射線檢測(cè)器具備：
轉(zhuǎn)換膜，其感應(yīng)X射線并輸出與入射的X射線劑量相對(duì)應(yīng)的電荷信號(hào)；
共用電極，其形成在上述轉(zhuǎn)換膜的表面，對(duì)上述轉(zhuǎn)換膜施加偏置電壓；
多個(gè)像素電極，其在上述轉(zhuǎn)換膜的與上述共用電極相反一側(cè)的表面與像素相對(duì)應(yīng)地配置成矩陣狀；
多個(gè)儲(chǔ)能電容，其分別與各上述像素電極相連接并蓄積電荷信號(hào)；
開關(guān)元件，其與上述像素電極相連接；
柵極驅(qū)動(dòng)器，其在讀出信號(hào)時(shí)通過柵極總線使各開關(guān)元件依次導(dǎo)通；以及
數(shù)據(jù)集成部，其通過數(shù)據(jù)總線讀出各上述儲(chǔ)能電容所蓄積的電荷信號(hào)，
該檢查方法的特征在于，包括以下步驟：
偏置電壓步驟，多次反復(fù)利用上述共用電極施加偏置電壓和停止施加偏置電壓；
暗電流值測(cè)量步驟，對(duì)沒有照射X射線的狀態(tài)下的各像素的像素值進(jìn)行測(cè)量；
缺陷像素識(shí)別步驟，根據(jù)在上述暗電流值測(cè)量步驟中測(cè)量出的各像素的像素值來識(shí)別缺陷像素；以及
判斷步驟，根據(jù)在上述缺陷像素識(shí)別步驟中識(shí)別出的缺陷像素的總數(shù)或者缺陷像素塊的尺寸來判斷二維陣列X射線檢測(cè)器是否合適。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法，其特征在于，
上述偏置電壓步驟中的施加偏置電壓的時(shí)間和停止施加偏置電壓的時(shí)間是通過測(cè)量缺陷像素的總數(shù)或者缺陷像素塊的尺寸隨時(shí)間的變化來預(yù)先設(shè)定為上述轉(zhuǎn)換膜的電荷狀態(tài)穩(wěn)定的期間的時(shí)間。
3.一種二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法，該二維陣列X射線檢測(cè)器具備：
轉(zhuǎn)換膜，其感應(yīng)X射線并輸出與入射的X射線劑量相對(duì)應(yīng)的電荷信號(hào)；
共用電極，其形成在上述轉(zhuǎn)換膜的表面，對(duì)上述轉(zhuǎn)換膜施加偏置電壓；
多個(gè)像素電極，其在上述轉(zhuǎn)換膜的與上述共用電極相反一側(cè)的表面與像素相對(duì)應(yīng)地配置成矩陣狀；
多個(gè)儲(chǔ)能電容，其分別與各上述像素電極相連接并蓄積電荷信號(hào)；
開關(guān)元件，其與上述像素電極相連接；
柵極驅(qū)動(dòng)器，其在讀出信號(hào)時(shí)通過柵極總線使各開關(guān)元件依次導(dǎo)通；以及
數(shù)據(jù)集成部，其通過數(shù)據(jù)總線讀出各上述儲(chǔ)能電容所蓄積的電荷信號(hào)，
該檢查方法的特征在于，包括以下步驟：
偏置電壓步驟，多次反復(fù)利用上述共用電極施加偏置電壓和施加反向偏置電壓；
暗電流值測(cè)量步驟，對(duì)沒有照射X射線的狀態(tài)下的各像素的像素值進(jìn)行測(cè)量；
缺陷像素識(shí)別步驟，根據(jù)在上述暗電流值測(cè)量步驟中測(cè)量出的各像素的像素值來識(shí)別缺陷像素；以及
判斷步驟，根據(jù)在上述缺陷像素識(shí)別步驟中識(shí)別出的缺陷像素的總數(shù)或者缺陷像素塊的尺寸來判斷二維陣列X射線檢測(cè)器是否合適。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法，其特征在于，
上述偏置電壓步驟中的施加偏置電壓的時(shí)間和施加反向偏置電壓的時(shí)間是通過測(cè)量缺陷像素的總數(shù)或者缺陷像素塊的尺寸隨時(shí)間的變化來預(yù)先設(shè)定為上述轉(zhuǎn)換膜的電荷狀態(tài)穩(wěn)定的期間的時(shí)間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法，其特征在于，
在上述判斷步驟中，根據(jù)在上述缺陷像素識(shí)別步驟中識(shí)別出的缺陷像素制作缺陷映射表，基于該缺陷映射表判斷二維陣列X射線檢測(cè)器是否合適。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法，其特征在于，
在上述偏置電壓步驟之前還包括制作初始的缺陷映射表的初始缺陷映射表制作步驟，
在上述判斷步驟中，將根據(jù)在上述缺陷像素識(shí)別步驟中識(shí)別出的缺陷像素制作的缺陷映射表與在上述初始缺陷映射表制作步驟中制作的初始的缺陷映射表進(jìn)行比較，由此判斷二維陣列X射線檢測(cè)器是否合適。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法，其特征在于，
在上述暗電流值測(cè)量步驟中，在沒有對(duì)上述轉(zhuǎn)換膜照射X射線的狀態(tài)下，使上述開關(guān)元件依次導(dǎo)通來檢測(cè)各像素的電荷信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的二維陣列X射線檢測(cè)器的檢查方法，其特征在于，
在上述偏置電壓步驟中，對(duì)上述轉(zhuǎn)換膜進(jìn)行加熱。
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