[發明專利]柔性層壓基板上的電路形成方法

無效

• 申請號: 201180010362.3
• 申請日: 2011-02-04
• 公開（公告）號: CN102771197A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 坂口和彥;稻住肇
• 申請（專利權）人: 吉坤日礦日石金屬株式會社
• 主分類號: H05K3/06
• 分類號: H05K3/06;C23F1/02;H05K1/09
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

技術領域

本發明涉及柔性印刷基板、TAB、COF等作為電子構件的安裝材料使用的柔性層壓基板上的電路形成方法。

背景技術

在聚酰亞胺薄膜上層疊主要包含銅的金屬導體層而得到的FCCL（柔性覆銅層壓體）作為電子產業中的電路板的材料廣泛使用。其中，在聚酰亞胺薄膜與金屬層之間不具有膠粘劑層的無膠粘劑柔性層壓體（特別是雙層柔性層疊體）伴隨電路布線寬度的細節距化而引起關注。

作為無膠粘劑柔性層壓體、特別是與細節距對應的無膠粘劑柔性層壓體的制造方法，主要進行如下方法：在聚酰亞胺薄膜上預先通過濺射、CVD、蒸鍍等干式鍍法形成金屬層，然后通過濕式鍍法形成作為導體層的金屬層的、所謂的金屬化法。

在該金屬化法中，為了提高金屬層與聚酰亞胺薄膜的粘附力，在形成金屬層之前，通過對聚酰亞胺薄膜表面進行等離子體處理，而進行以表面污染物質的除去和表面粗糙度的提高為目的的改性（參考專利文獻1和2）。

該方法極其有效，但是發現在電路形成時的熱處理或使用環境下的長期可靠性等方面存在粘附力下降的問題，另外，提出了在等離子體處理面上形成作為用于提高聚酰亞胺薄膜層與金屬導體層的粘附性的中間層的連接涂層（タイコ一ト層）。該連接涂層的形成是非常有效的方法（參考專利文獻1）。

另一方面，TAB、COF、FPC等中使用的FCCL，通過減成法蝕刻除去金屬導體層。伴隨電路布線寬度的進一步細節距化，研究了通過應用半加成法或在用于蝕刻金屬導體層的蝕刻液中添加抑制劑并進行具有各向異性的蝕刻，而提高蝕刻因子、進行細節距化的研究（參考專利文獻3）。

半加成法的情況下，不能原樣使用以往減成法中使用的工序，不僅需要用于新形成金屬導體層的鍍敷工序，而且需要與金屬導體層的厚度相當的抗蝕劑。

含有抑制劑的蝕刻液，可以在現有的蝕刻生產線中應用，但是由于金屬導體層的厚度或電路布線的節距，仍未解決在同一基板內存在各種電路布線寬度且形狀不同，從而布線的直線性差的問題。

即，為了形成目標電路，而通過抗蝕劑涂布和曝光工序印刷電路，并且經過除去銅箔的不需要部分的蝕刻處理，但是在通過蝕刻形成電路時，存在該電路達不到目標寬度的問題。

這是由于：蝕刻后的銅箔電路的銅部分，從銅箔的表面向下、即朝向樹脂層的方向，以末端變寬的方式被蝕刻（產生下彎（ダレ））。產生大的“下彎”的情況下，在樹脂基板附近有時銅電路短路，從而產生不合格品。

需要盡力地減少這樣的“下彎”，為了防止這樣的末端變寬的蝕刻不良，考慮了延長蝕刻時間，從而更多地進行蝕刻，以減少該“下彎”。

但是，此時產生的問題是，當存在已經達到規定寬度尺寸的部位時，該部分被進一步蝕刻，因此該銅箔部分的電路寬度變得如此狹窄，從而不能得到電路設計上的目標均勻線寬（電路寬度），特別是在該部分（細線化的部分）會發熱，并根據情況產生斷線。

電子電路的精細圖案化在進一步進展當中，目前這樣的蝕刻不良所引起的問題更明顯地出現，從而在電路形成方面成為大的問題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第3173511號公報

專利文獻2：日本特表2003-519901號公報

專利文獻3：日本特開2004-256901號公報

專利文獻4：日本特開2009-167459號公報的發明的公開部分

發明內容

本申請發明的課題在于提供，通過將柔性層壓體的連接涂層或與連接涂層同等的金屬或合金形成為金屬導體層狀，同時抑制妨礙電路布線的細節距化的側蝕刻并且形成布線的直線性良好的電路的方法。

鑒于上述課題，本發明提供以下發明。

1）一種柔性層壓基板上的電路形成方法，用于在柔性層壓基板上形成電路，其特征在于，在使用具有至少一個面經等離子體處理的作為柔性層壓基板的聚酰亞胺薄膜、形成在該聚酰亞胺薄膜上的連接涂層A、形成在該連接涂層上的金屬導體層B以及在該金屬導體層上的蝕刻速度比銅低的金屬或合金層C的無膠粘劑柔性層壓體形成電路時，在所述金屬導體層上形成的蝕刻速度比銅低的金屬或合金層C上涂布光致抗蝕劑，將其曝光和顯影后，預先通過預蝕刻選擇性地僅除去電路形成以外的層C，然后再次通過蝕刻除去所述導電體層B而殘留電路部分，再將電路部分的光致抗蝕劑除去而形成電路。

本發明還提供：

2）如上述1）所述的柔性層壓基板上的電路形成方法，其特征在于，在金屬導體層上形成的層C為厚度1~50nm的選自鎳、鉻、鈷、鎳合金、鉻合金和鈷合金中的任意一種的濺射層。