[發明專利]柔性層壓基板上的電路形成方法無效
| 申請號: | 201180010362.3 | 申請日: | 2011-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN102771197A | 公開(公告)日: | 2012-11-07 |
| 發明(設計)人: | 坂口和彥;稻住肇 | 申請(專利權)人: | 吉坤日礦日石金屬株式會社 |
| 主分類號: | H05K3/06 | 分類號: | H05K3/06;C23F1/02;H05K1/09 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 層壓 基板上 電路 形成 方法 | ||
1.一種柔性層壓基板上的電路形成方法,用于在柔性層壓基板上形成電路,其特征在于,在使用具有至少一個面經等離子體處理的作為柔性層壓基板的聚酰亞胺薄膜、形成在該聚酰亞胺薄膜上的連接涂層A、形成在該連接涂層上的金屬導體層B以及在該金屬導體層上的蝕刻速度比銅低的金屬或合金層C的無膠粘劑柔性層壓體形成電路時,在所述金屬導體層上形成的蝕刻速度比銅低的金屬或合金層C上涂布光致抗蝕劑,將其曝光和顯影后,預先通過預蝕刻選擇性地僅除去電路形成以外的層C,然后再次通過蝕刻除去所述導電體層B而殘留電路部分,再將電路部分的光致抗蝕劑除去而形成電路。
2.如權利要求1所述的柔性層壓基板上的電路形成方法,其特征在于,在金屬導體層上形成的層C為厚度1~50nm的選自鎳、鉻、鈷、鎳合金、鉻合金和鈷合金中的任意一種的濺射層。
3.如權利要求1或2所述的柔性層壓基板上的電路形成方法,其特征在于,在所述金屬導體層上形成的層C與該連接涂層A的成分相同。
4.如權利要求1至3中任一項所述的柔性層壓基板上的電路形成方法,其特征在于,所述連接涂層A為厚度5~100nm的選自鎳、鉻、鈷、鎳合金、鉻合金和鈷合金中的任意一種的濺射層。
5.如權利要求1至4中任一項所述的柔性層壓基板上的電路形成方法,其特征在于,所述金屬導體層B為銅或銅合金。
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