[發明專利]適合于發光二極管、激光二極管或者光電檢測器的電阻元件

無效

• 申請號: 201180010252.7
• 申請日: 2011-02-01
• 公開（公告）號: CN102763175A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 克里斯特·貝格內克
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01C7/112
• 分類號: H01C7/112;H01C7/12;H01L21/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;李德山

技術領域

提出了一種電阻元件。

發明內容

要實現的目的在于，提出一種電阻元件，其尤其良好地適用于與例如發光二極管、激光二極管或光電檢測器的光電子器件一起應用。

根據電阻元件的至少一個實施形式，電阻元件具有基體。基體例如用半導體材料形成。這就是說，基體能夠由半導體材料制成，例如將摻雜材料設置到所述半導體材料中。例如，基體由n摻雜或者p摻雜的硅制成。然而還可能的是，基體具有層結構，在所述層結構中例如彼此層狀重疊地設有半導體材料和金屬。

根據電阻元件的至少一個實施形式，電阻元件包括第一接觸元件。第一接觸元件與基體導電連接。接觸元件由導電材料制成，例如由金屬制成。例如，第一導電元件構成為層，所述層局部地施加到基體上并且遵循基體的輪廓。于是，層能夠與基體處于直接的接觸。

根據電阻元件的至少一個實施形式，電阻元件包括與基體導電連接的第二接觸元件。第二接觸元件同樣能夠由例如金屬的導電材料制成。第二接觸元件能夠構成為層，所述層形狀配合地局部地施加在基體上。

在此，第一和第二接觸元件沒有直接地彼此導電連接，而是電阻元件的至少一個基體設置在第一和第二接觸元件之間。這就是說，在第一和第二接觸元件之間的電流流過基體或者流過基體的至少一部分。

根據電阻元件的至少一個實施形式，基體具有第一主面，凹部設置到所述主面中。這就是說，在基體的第一主面處，——例如在基體的上側處——取出基體的材料，使得基體在那里具有孔或者開口。在此，優選凹部并未構成為使得所述凹部從基體的一側達到基體的對置的側處，而是通過凹部僅僅在基體中形成沒有完全地穿透基體的開口或者孔。

根據電阻元件的至少一個實施形式，第一接觸元件在凹部中至少局部地與基體導電連接。例如，在凹部的區域中，至少基體的85%能夠由接觸元件所覆蓋。在此可能的是，基體在凹部的區域中完全地由接觸元件覆蓋。因此，接觸元件能夠在凹部中與基體直接地接觸。例如，基體在凹部的區域中以第一接觸元件的材料覆層。

根據電阻元件的至少一個實施形式，電阻元件的基體具有第二主面。第二主面例如對置于第一主面設置。電阻元件的基體例如能夠根據圓柱體或者長方體的類型構成。因此，基體的主面例如通過圓柱體或者長方體的蓋面形成。

根據電阻元件的至少一個實施形式，第二接觸元件在第二主面處至少局部地與基體導電連接。例如，第二接觸元件為此局部地或者完全地覆蓋第二主面。第二接觸元件例如能夠作為金屬層施加到基體的第二主面上。尤其可能的是，第二接觸元件和基體彼此直接地接觸。

根據電阻元件的至少一個實施形式，電阻元件包括基體，所述基體以半導體材料形成。此外，電阻元件包括分別與基體導電連接的第一和第二接觸元件。在此，基體具有第一主面，將凹部設置到所述第一主面中。第一接觸元件在凹部中至少局部地與基體導電連接。基體還具有第二主面，所述第二主面對置于第一主面設置。第二接觸元件在第二主面處至少局部地與基體導電連接。

在電阻元件的工作中，例如從第一接觸元件流出的電流穿流過基體并且從那里到達第二接觸元件中。在此，基體中的凹部例如從第一主面朝第二主面延伸。由于將第一接觸元件設置到凹部中并且在那里與基體導電連接的事實，通過凹部減小了在第一接觸元件和第二接觸元件之間穿過基體的短路路徑。以該方式可能的是，選擇相對厚的、機械穩定的基體，其中通過凹部將穿過基體的短路路徑減小為使得盡管使用厚的基體而電阻元件的電阻仍不變得過大，以便例如用于如發光二極管的光電子半導體器件。經由凹部的深度，即在第一接觸元件和第二接觸元件之間的距離或者穿過基體的、由此形成的短路路徑的長度，能夠以簡單的方式調節電阻元件的電阻，使得例如能夠進行將電阻匹配于發光二極管芯片的正向電壓和亮度，電阻元件與所述發光二極管芯片一起使用。

根據電阻元件的至少一個實施形式，在第一主面和第一接觸元件之間設置電絕緣的鈍化元件。這就是說，第一接觸元件至少局部地沒有與基體的第一主面直接接觸，而是在第一接觸元件和基體的第一主面的區域之間設置電絕緣的鈍化元件。電絕緣的鈍化元件例如為電絕緣層，所述電絕緣層能夠由陶瓷材料、氮化硅或者二氧化硅制成。