[發(fā)明專利]適合于發(fā)光二極管、激光二極管或者光電檢測器的電阻元件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201180010252.7
• 申請日: 2011-02-01
• 公開（公告）號: CN102763175A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 克里斯特·貝格內(nèi)克
• 申請（專利權(quán)）人: 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01C7/112
• 分類號: H01C7/112;H01C7/12;H01L21/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;李德山

1.電阻元件（1），所述電阻元件具有：

-基體（2），所述基體用半導(dǎo)體材料制成，

-第一接觸元件（5），所述第一接觸元件與所述基體（2）導(dǎo)電連接，和

-第二接觸元件（6），所述第二接觸元件與所述基體（2）導(dǎo)電連接，其中

-所述基體（2）具有第一主面（2a），在所述第一主面中設(shè)置有凹部（3），

-所述第一接觸元件（5）在所述凹部（3）中至少局部地與所述基體（2）導(dǎo)電連接，

-所述基體（2）具有第二主面（2b），所述第二主面對置于所述第一主面（2a）設(shè)置，

-所述第二接觸元件（6）在所述第二主面（2b）處至少局部地與所述基體（2）導(dǎo)電連接。

2.根據(jù)上一權(quán)利要求所述的電阻元件（1），其中在所述第一主面（2a）和所述第一接觸元件（5）之間設(shè)置有電絕緣的鈍化元件（4）。

3.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的電阻元件（1），其中所述第一接觸元件（5）和所述基體僅僅在所述凹部（3）的區(qū)域中彼此導(dǎo)電連接。

4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的電阻元件（1），其中所述凹部具有至少一個側(cè)面（3a）和至少一個底面（3b），其中

-所述至少一個側(cè)面（3a）和所述至少一個底面（3b）朝向所述基體（2）對所述凹部限界，并且

-所述至少一個側(cè)面（3a）和所述至少一個底面（3b）完全地與所述第一接觸元件（5）直接接觸。

5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的電阻元件（1），其中所述凹部棱錐式地構(gòu)成，所述棱錐的尖部朝向所述第二主面（2b）。

6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的電阻元件（1），其中所述凹部在其至少一個側(cè)面（3a）和其至少一個底面（3b）處具有刻蝕工藝的痕跡。

7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的電阻元件（1），所述電阻元件具有

-正的溫度系數(shù)。

8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的電阻元件（1），其中所述基體（2）由摻雜的硅制成，其中摻雜材料濃度為至少10¹⁵cm^-3和至多10¹⁷cm^-3。

9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的電阻元件（1），其中所述基體（2）具有至少100μm的厚度。

10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的電阻元件（1），其中所述第一主面（2a）和/或所述第二主面（2b）具有最多1mm²的基面。

11.用于制造多個根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的電阻元件（1）的方法，所述方法具有下述步驟：

-提供由半導(dǎo)體材料制成的晶圓（20）；

-將鈍化元件（4）施加到所述晶圓（20）的第一主面（20a）上；

-在所述鈍化元件（4）中局部地形成開口，在所述開口中分別露出所述半導(dǎo)體材料；

-對所述開口中露出的所述半導(dǎo)體材料進行濕化學(xué)刻蝕方法，以形成凹部（3）；并且

-將第一接觸元件（5）設(shè)置到所述凹部中的至少一些中。

12.根據(jù)上一權(quán)利要求所述的方法，其中所述凹部中的至少兩個具有彼此不同的最大直徑（D）。

13.照明裝置，所述照明裝置具有：

-發(fā)光二極管的第一布置（7），所述發(fā)光二極管的第一布置包括至少一個第一類型的發(fā)光二極管（7a），

-發(fā)光二極管的第二布置（8），所述發(fā)光二極管的第二布置包括至少一個第二類型的發(fā)光二極管（8a），和

-根據(jù)權(quán)利要求1至10之一所述的電阻元件（1），其中

-所述第一類型的發(fā)光二極管（8a）具有與所述第二類型的發(fā)光二極管（8b）不同的溫度相關(guān)性，

-所述電阻元件（1）和所述發(fā)光二極管的第二布置（8）形成串聯(lián)電路（10），并且

-所述串聯(lián)電路（10）和所述發(fā)光二極管的第一布置（7）形成并聯(lián)電路。