[發(fā)明專利]OCT裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201180007116.2
• 申請日: 2011-01-19
• 公開（公告）號: CN102725623A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發(fā)明（設計）人: 宮崎康人;米田康人;鈴木久則;村松雅治;渥美利久
• 申請（專利權(quán)）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: G01N21/17
• 分類號: G01N21/17
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

1.一種OCT裝置，其特征在于：

具備：

輸出光的光源；

分支部，對從所述光源輸出的光進行分支并輸出第1分支光以及第2分支光；

探針部，將從所述分支部輸出的第1分支光照射于被測定對象物、且輸入來自被測定對象物的光并進行引導；

合波部，將被所述探針部引導而到達的光作為試樣光進行輸入并且將從所述分支部輸出而到達的第2分支光作為參照光進行輸入，對這些輸入的參照光和試樣光進行合波，從而輸出由該合波而產(chǎn)生的干涉光；以及

光檢測器，檢測從所述合波部輸出的干涉光的強度，

所述光檢測器具有：

硅基板，由第1導電類型的半導體構(gòu)成、具有互相相對的第1主面以及第2主面、并且在所述第1主面?zhèn)刃纬捎械?導電類型的半導體區(qū)域；以及

傳送電極部，設置于所述硅基板的所述第1主面上并且傳送所產(chǎn)生的電荷，

在所述硅基板上，在所述第2主面?zhèn)刃纬删哂斜人龉杌甯叩碾s質(zhì)濃度的第1導電類型的積累層，并在所述第2主面上的至少與第2導電類型的所述半導體區(qū)域相對的區(qū)域形成不規(guī)則的凹凸，

所述硅基板的所述第2主面上的形成有不規(guī)則的所述凹凸的區(qū)域光學性地露出。

2.如權(quán)利要求1所述的OCT裝置，其特征在于：

所述硅基板中，對應于第2導電類型的所述半導體區(qū)域的部分從所述第2主面?zhèn)绕鸨槐』⒈Ａ粼摬糠值闹苓叢糠帧?/p>

3.如權(quán)利要求1或者2所述的OCT裝置，其特征在于：

第1導電類型的所述積累層的厚度大于不規(guī)則的所述凹凸的高低差。

4.如權(quán)利要求1~3中任意一項所述的OCT裝置，其特征在于：

所述硅基板的厚度被設定在像素間距以下。