[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201180005276.3
• 申請日: 2011-01-13
• 公開（公告）號: CN102687275A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 鄉戶宏充;荒井康行;岡本知廣;寺島真理;西田惠里子;菅尾惇平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/28;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/417
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

技術領域

本發明的技術領域涉及一種半導體裝置。在此，半導體裝置是指通過利用半導體特性工作的所有元件及裝置。

背景技術

金屬氧化物的種類繁多且用途廣。氧化銦是公知的材料，并已經被用作液晶顯示裝置等所需的透明電極材料。

在金屬氧化物中存在呈現半導體特性的金屬氧化物。作為呈現半導體特性的金屬氧化物，例如可以舉出氧化鎢、氧化錫、氧化銦、氧化鋅等，并且已知一種將這種金屬氧化物用作溝道形成區的薄膜晶體管（例如，參照專利文獻1至專利文獻4、非專利文獻1等）。

另外，作為金屬氧化物，不僅已知一元氧化物，而且還已知多元氧化物。例如，作為具有In、Ga及Zn的多元氧化物半導體，具有同源相（homologous?phase）的InGaO₃（ZnO）_m（m為自然數）是周知的（例如，參照非專利文獻2至4等）。

并且，已經確認到可以將包括上述那樣的In-Ga-Zn類氧化物的氧化物半導體也應用于薄膜晶體管的溝道形成區（例如，參照專利文獻5、非專利文獻5及6等）。

[專利文獻1]日本專利申請公開昭60-198861號公報

[專利文獻2]日本專利申請公開平8-264794號公報

[專利文獻3]PCT國際申請日本公表平11-505377號公報

[專利文獻4]日本專利申請公開2000-150900號公報

[專利文獻5]日本專利申請公開2004-103957號公報

[非專利文獻1]M.W.Prins,K.O.Grosse-Holz,G.Muller,J.F.M.Cillessen,J.B.Giesbers,R.P.Weening,and?R.M.Wolf，Aferroelectric?transparent?thin-film?transistor(鐵電透明薄膜晶體管),Appl.Phys.Lett.（應用物理通信）,17June?1996,Vol.68p.3650-3652

[非專利文獻2]M.Nakamura,N.Kimizuka,and?T.Mohri,The?Phase?Relations?in?the?In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO?System?at?1350°C(1350°C下In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO系中的相關系),J.Solid?State?Chem.（固態物理化學）,1991，Vol.93,p.298-315

[非專利文獻3]N.Kimizuka,M.Isobe,and?M.Nakamura,Syntheses?and?Single-Crystal??Data?of?Homologous?Compounds,In₂O₃(ZnO)_m(m=3,4,and?5),InGaO₃(ZnO)₃,and?Ga₂O₃(ZnO)_m(m=7,8,9,and?16)in?the?In₂O₃-ZnGa₂O₄-ZnO?System（In₂O₃-ZnGa₂O₄-ZnO系中In₂O₃(ZnO)_m(m=3,4,且5),InGaO₃(ZnO)₃,和Ga₂O₃(ZnO)_m(m=7,8,9,且16)，均相化合物的合成與單晶數據）,J.Solid?State?Chem.（固態物理化學）,1995,Vol.116,p.170-178