[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201180005276.3
• 申請日: 2011-01-13
• 公開（公告）號: CN102687275A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 鄉戶宏充;荒井康行;岡本知廣;寺島真理;西田惠里子;菅尾惇平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/28;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/417
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種半導體裝置，包括：

氧化物半導體層；

與所述氧化物半導體層接觸的絕緣層；

與所述氧化物半導體層和所述絕緣層接觸的源電極及漏電極；

與所述氧化物半導體層重疊的柵電極；以及

設置在所述氧化物半導體層與所述柵電極之間的柵極絕緣層，

其中，所述氧化物半導體層的側表面分別與所述源電極或所述漏電極接觸，

并且，在所述氧化物半導體層與所述源電極和所述漏電極中的至少一個之間夾有所述絕緣層。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中在所述氧化物半導體層上設置有所述柵電極。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中在所述柵電極上設置有所述氧化物半導體層。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體層的側表面的上端與所述絕緣層的側表面的下端對準。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述源電極及所述漏電極每一個包括第一導電層和其電阻高于所述第一導電層的第二導電層，并且所述第二導電層與所述氧化物半導體層接觸。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中所述第二導電層的厚度為5nm以上且15nm以下。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中所述第二導電層包括金屬氮化物。

8.一種半導體裝置，包括：

襯底上的柵電極；

所述柵電極上的柵極絕緣層；

所述柵極絕緣層上的氧化物半導體層；

與所述氧化物半導體層接觸的絕緣層；以及

所述絕緣層上和所述柵極絕緣層上的源電極及漏電極，

其中，所述氧化物半導體層的側表面分別與所述源電極或所述漏電極接觸。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體層的側表面的上端與所述絕緣層的側表面的下端對準。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中所述源電極及所述漏電極每一個包括第一導電層和其電阻高于所述第一導電層的第二導電層，并且所述第二導電層與所述氧化物半導體層接觸。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中所述第二導電層的厚度為5nm以上且15nm以下。

12.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中所述第二導電層包括金屬氮化物。

13.一種半導體裝置，包括：

襯底上的氧化物半導體層；

與所述氧化物半導體層接觸的絕緣層；

所述襯底上和所述絕緣層上的源電極及漏電極；

所述絕緣層上和所述源電極及所述漏電極上的柵極絕緣層；以及

所述柵極絕緣層上的柵電極，

其中，所述氧化物半導體層的側表面分別與所述源電極或所述漏電極接觸。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體層的側表面的上端與所述絕緣層的側表面的下端對準。

15.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中所述源電極及所述漏電極每一個包括第一導電層和其電阻高于所述第一導電層的第二導電層，并且所述第二導電層與所述氧化物半導體層接觸。

16.根據權利要求15所述的半導體裝置，其中所述第二導電層的厚度為5nm以上且15nm以下。

17.根據權利要求15所述的半導體裝置，其中所述第二導電層包括金屬氮化物。

18.一種半導體裝置，包括：

襯底上的柵電極；

所述柵電極上的柵極絕緣層；

設置在所述柵極絕緣層上的源電極及漏電極，該源電極及漏電極每一個包括第一導電層和其電阻高于所述第一導電層的第二導電層；

與所述柵電極重疊且以與所述第二導電層接觸的方式設置的氧化物半導體層；以及

設置在所述第一導電層與所述氧化物半導體層之間的絕緣層。

19.根據權利要求18所述的半導體裝置，其中所述第二導電層包括超出所述第一導電層的側表面沿溝道長度方向延伸的區域。