[發明專利]具有非均勻真空分布的裸芯安裝端部有效
| 申請號: | 201180004373.0 | 申請日: | 2011-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN102782829A | 公開(公告)日: | 2012-11-14 |
| 發明(設計)人: | P.K.萊;K.伯克;王麗;黃金香;邰恩勇;王健華;K.翁 | 申請(專利權)人: | 晟碟半導體(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 邱軍 |
| 地址: | 200241 中*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 均勻 真空 分布 安裝 | ||
1.一種用于分開半導體裸芯與帶組件的工具,所述工具包括:
真空端部,具有在所述真空端部的表面中的多個真空孔,用于在與所述半導體裸芯接合所述帶的表面相反的所述半導體裸芯的表面施加力,所述多個真空孔在所述真空端部的表面上具有非均勻的分布。
2.如權利要求1所述的工具,其中所述多個真空孔設置為這樣的構造,其中所述真空孔設置為在所述真空端部的外周邊比向著所述真空端部的中心更加密集。
3.如權利要求1所述的工具,其中所述多個真空孔設置為這樣的構造,其中所述真空孔在所述裸芯上提供真空力,其相對于距邊緣的距離的平方成比例減小。
4.如權利要求1所述的工具,其中所述半導體裸芯和所述帶組件之間的粘接力限定了所述半導體裸芯表面上的第一力分布,連通到所述多個真空孔的低壓限定了在與所述第一力分布相反的方向上的第二力分布,所述第一和第二力分布之間的凈力分布導致在所述半導體裸芯的表面上的均勻力分布。
5.如權利要求4所述的工具,所述第一和第二分布相對于距所述半導體裸芯邊緣的距離的平方成比例變化。
6.如權利要求1所述的工具,其中所述半導體裸芯和所述帶組件之間的粘接力限定了所述半導體裸芯表面上的第一力分布,連通到所述多個真空孔的低壓限定了與所述第一力分布相反方向上的第二力分布,所述第一和第二力分布之間的凈力分布導致在所述半導體裸芯邊緣的大于在所述半導體裸芯中心的力分布。
7.一種分開半導體裸芯與帶組件的工具,所述工具包括:
真空端部,具有在所述真空端部表面中的多個真空孔,用于在與所述半導體裸芯接合所述帶的表面相反的所述半導體裸芯的表面上施加力,所述多個真空孔施加在所述半導體裸芯上的力在所述半導體裸芯邊緣比在所述半導體裸芯的中心更大。
8.如權利要求7所述的工具,還包括用于連通負壓到所述多個真空孔的真空源。
9.如權利要求7所述的工具,其中所述多個真空孔設置為這樣的構造,其中所述真空孔設置為在所述真空端部的邊緣比向著所述真空端部的中心更加密集。
10.如權利要求7所述的工具,其中所述多個真空孔設置為這樣的構造,其中所述真空孔在所述真空端部的邊緣比向著所述真空端部的中心更大。
11.如權利要求7所述的工具,其中所述真空端部的邊緣上的所述真空孔連接第一真空源,并且其中在所述真空端部的中心的真空孔連接到第二真空源,所述第一真空源比所述第二真空源提供更大的負壓。
12.如權利要求7所述的工具,其中所述多個真空孔設置為這樣的構造,其中所述真空孔在所述裸芯上提供的真空力相對于距邊緣的距離的平方成比例地減小。
13.如權利要求7所述的工具,其中所述半導體裸芯和所述帶組件之間的粘接力限定了所述半導體裸芯表面上的第一力分布,連通到所述多個真空孔的低壓限定與所述第一力分布相反方向上的第二力分布,所述第一和第二力分布之間的凈力分布導致所述半導體裸芯表面上的均勻力分布。
14.一種分開半導體裸芯與帶組件的工具,所述帶組件在所述半導體裸芯上施加不均勻力,所述不均勻力在所述半導體裸芯的邊緣比在所述半導體裸芯的中心更大,所述工具包括:
支撐表面,用于支撐所述半導體裸芯,所述半導體裸芯的第一表面包括面對所述支撐表面的帶;以及
真空端部,具有在所述真空端部表面中的用于接收低壓的多個真空孔,所述低壓在與所述半導體裸芯接合所述帶的第一表面相對的所述半導體裸芯的第二表面上施加力,所述多個真空孔在所述半導體裸芯上施加力以抵消所述帶組件在所述半導體裸芯上的不均勻力。
15.如權利要求14所述的工具,其中所述半導體裸芯上來自所述帶組件和多個真空孔的凈力是凈均勻向上力。
16.如權利要求14所述的工具,其中所述多個真空孔設置為這樣的構造,其中所述真空孔設置為在所述真空端部的外周邊比向著所述真空端部的中心更加密集。
17.如權利要求14所述的工具,其中所述多個真空孔設置為這樣的構造,其中所述真空孔在所述裸芯上提供的真空力相對于距邊緣的距離的平方成比例地減小。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





