[發明專利]半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 201180002946.6
• 申請日: 2011-02-18
• 公開（公告）號: CN102473635A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 小山賢一;矢部和雄;八重樫英民
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/027
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 柳春雷

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成薄膜的工序；

在所述薄膜上形成光阻掩模的抗蝕劑掩模形成工序，其中所述光阻掩模形成有橢圓孔圖案；

通過在所述橢圓孔圖案的側壁形成絕緣膜來縮小所述橢圓孔圖案的孔徑的縮小工序；以及

將形成縮小了所述孔徑的橢圓孔圖案的所述光阻層和所述絕緣膜作為掩模對所述薄膜進行蝕刻的工序。

2.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

基于第一圖案對形成在基板上的薄膜進行蝕刻的第一蝕刻工序；

填埋被形成在所述薄膜上的所述第一圖案的第一成膜工序；

在所述第一圖案之上形成光阻掩模的掩模形成工序，其中所述光阻掩模形成有第二圖案；

通過在所述光阻掩模的所述第二圖案內的側壁形成絕緣膜來縮小所述第二圖案的孔徑的縮小工序；以及

將形成所述孔徑縮小了的第二圖案的所述光阻層和所述絕緣膜作為掩模對所述薄膜進行蝕刻的工序。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述絕緣膜包含氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、氧化鋁(Al₂O₃)、氮化鋁(AlN)、氧化鈦(TiO₂)、非晶硅中的任意種。

4.根據權利要求2或3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述絕緣膜在140℃以下的溫度下形成。

5.根據權利要求2至4中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述縮小工序之前，包括將所述第二圖案細化的細化工序。

6.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

通過基于具有至少一部分平行的第一圖案的光阻對形成在半導體晶片基板上的多晶硅膜進行蝕刻來形成具有所述第一平行圖案的多晶硅的工序，其中所述光阻形成在所述多晶硅膜上；

用反射防止膜填埋所述多晶硅的第一圖案的工序；

在所述第一圖案之上形成具有第二圖案的光阻的工序；

通過在所述光阻之上形成絕緣膜來縮小所述第二圖案的孔的直徑的工序；

將形成所述縮小了的第二圖案的所述光阻和所述絕緣膜作為掩模對所述孔的底部的所述絕緣膜和所述反射防止膜進行蝕刻來使所述多晶硅膜露出的工序；以及

通過基于在所述露出工序中得到的新的孔對所述多晶硅膜進行蝕刻來形成多晶硅的圖案的蝕刻工序。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述絕緣膜包含氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、氧化鋁(Al₂O₃)、氮化鋁(AlN)、氧化鈦(TiO₂)、非晶硅中的任意種。

8.根據權利要求6或7所述的半導體裝置的制造方法，特征在于，所述絕緣膜在140℃以下的溫度下形成。

9.根據權利要求6至8中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括通過灰化和濕式洗凈來去除所述多晶硅上的反射防止膜和光阻的工序。

10.根據權利要求6至9中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述縮小工序之前，包括將所述第二圖案細化的細化工序。