[實用新型]過壓及欠壓保護電路

有效

• 申請號: 201120558007.7
• 申請日: 2011-12-28
• 公開（公告）號: CN202373957U
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 王文君;羅進旺;王佐;李昊陽;陳佳;張慧松
• 申請（專利權）人: 東莞市茂揚科技股份有限公司
• 主分類號: H02H3/20
• 分類號: H02H3/20;H02H3/24
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 張明

技術領域

?本實用新型涉及電壓保護技術領域，尤其涉及一種過壓及欠壓保護電路。

背景技術

隨著技術的進步，越來越多的電子裝置采用低壓直流供電，導致電子裝置對供電電壓的精確性要求越來越高，當供電電壓低于或者高于正常工作電壓一定值時，都可能導致電子裝置無法正常工作甚至損壞。為了解決上述問題，人們設計了過壓、欠壓保護電路，目前常用的直流低壓供電時過壓及欠壓保護電路是通過運放比較器檢測電壓，然后將控制信號傳輸給PWM（脈沖寬度調制）芯片實現控制，從而使供電電壓穩定在正常范圍內，該電路實現成本較高，且電路復雜、故障率高。

發明內容

本實用新型的目的就是針對現有技術存在的不足而提供一種過壓及欠壓保護電路，可以根據供電電壓將電子裝置與供電電源斷開或連通，可靠性高。

為了實現上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種過壓及欠壓保護電路，包括欠壓檢測單元、過壓檢測單元、輸出控制單元和開關控制單元；

所述欠壓檢測單元包括齊納二極管D1、限流電阻R1；

所述過壓檢測單元包括齊納二極管D2、NPN型三極管Q1、限流電阻R2、下拉電阻R3；

所述輸出控制單元包括二極管D3；

所述開關控制單元包括NPN型三極管Q2、P型MOS晶體管Q3、下拉電阻R4；

齊納二極管D1的負極通過限流電阻R1與MOS晶體管Q3的漏極連接，齊納二極管D2的負極通過限流電阻R2與MOS晶體管Q3的漏極連接，齊納二極管D2的正極與三極管Q1的基極連接，三極管Q1的基極通過下拉電阻R3接地，齊納二極管D1的正極、三極管Q1的集電極與二極管D3的正極連接，二極管D3的負極與三極管Q2的基極連接，三極管Q2的基極通過下拉電阻R4接地，三極管Q2的集電極與MOS晶體管Q3的柵極連接，三極管Q1的發射極、三極管Q2的發射極均接地，MOS晶體管Q3的漏極為輸入端，MOS晶體管Q3的源極為輸出端。

所述欠壓檢測單元還包括有濾波電容C1，濾波電容C1一端與齊納二極管D1的負極連接，另一端接地。

所述過壓檢測單元還包括有濾波電容C2，濾波電容C2一端與齊納二極管D2的負極連接，另一端接地。

所述開關控制單元還包括有保護電阻R5，保護電阻R5一端與MOS晶體管Q3的漏極連接，另一端與MOS晶體管Q3的柵極連接。

本實用新型有益效果在于：本實用新型包括欠壓檢測單元、過壓檢測單元、輸出控制單元和開關控制單元，所述欠壓檢測單元包括齊納二極管D1，所述過壓檢測單元包括齊納二極管D2、NPN型三極管Q1，所述輸出控制單元包括為二極管D3，所述開關控制單元包括NPN型三極管Q2、P型MOS晶體管Q3，MOS管Q3的漏極連接直流電源，MOS管Q3的源極連接負載，當電壓過低時，齊納二極管D1、齊納二極管D2關斷，MOS晶體管關斷，電路對負載供電，當電壓過高時，齊納二極管D1、D2導通，MOS晶體管關斷，電路對負載供電，當電壓正常時，齊納二極管D1導通，齊納二極管D2關斷，MOS晶體管Q3導通，電路對負載供電，本實用新型結構科學簡單，可靠性高。

附圖說明

圖1是本實用新型的過壓及欠壓保護電路的原理方框圖。

圖2是本實用新型的過壓及欠壓保護電路的電路圖。

在圖1、圖2中包括有：

1——欠壓檢測單元??????????????????????2——過壓檢測單元

3——輸出控制單元??????????????????????4——開關控制單元

5——直流電源?????????????????????????????6——負載。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型作進一步的說明。

本實用新型的一種過壓及欠壓保護電路，如圖1所示，其包括欠壓檢測單元1、過壓檢測單元2、輸出控制單元3和開關控制單元4，開關控制單元4串聯在直流電源5和負載6之間，欠壓檢測單元1、過壓檢測單元2分別檢測直流電源5的欠壓信息、過壓信息，并將檢測到的信息傳輸至輸出控制單元3，輸出控制單元3根據欠壓信息、過壓信息輸出電源接通或斷開的信號，開關控制單元4根據輸出控制單元3的信號接通或斷開電源。