[實用新型]過壓及欠壓保護電路

有效

• 申請號: 201120558007.7
• 申請日: 2011-12-28
• 公開（公告）號: CN202373957U
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 王文君;羅進旺;王佐;李昊陽;陳佳;張慧松
• 申請（專利權）人: 東莞市茂揚科技股份有限公司
• 主分類號: H02H3/20
• 分類號: H02H3/20;H02H3/24
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 張明

1.一種過壓及欠壓保護電路，其特征在于：包括欠壓檢測單元（1）、過壓檢測單元（2）、輸出控制單元（3）和開關控制單元（4）；

所述欠壓檢測單元（1）包括齊納二極管D1、限流電阻R1；

所述過壓檢測單元（2）包括齊納二極管D2、NPN型三極管Q1、限流電阻R2、下拉電阻R3；

所述輸出控制單元（3）包括二極管D3；

所述開關控制單元（4）包括NPN型三極管Q2、P型MOS晶體管Q3、下拉電阻R4；

齊納二極管D1的負極通過限流電阻R1與MOS晶體管Q3的漏極連接，齊納二極管D2的負極通過限流電阻R2與MOS晶體管Q3的漏極連接，齊納二極管D2的正極與三極管Q1的基極連接，三極管Q1的基極通過下拉電阻R3接地，齊納二極管D1的正極、三極管Q1的集電極與二極管D3的正極連接，二極管D3的負極與三極管Q2的基極連接，三極管Q2的基極通過下拉電阻R4接地，三極管Q2的集電極與MOS晶體管Q3的柵極連接，三極管Q1的發射極、三極管Q2的發射極均接地，MOS晶體管Q3的漏極為輸入端，MOS晶體管Q3的源極為輸出端。

2.根據權利要求1所述的過壓及欠壓保護電路，其特征在于：所述欠壓檢測單元（1）還包括有濾波電容C1，濾波電容C1一端與齊納二極管D1的負極連接，另一端接地。

3.根據權利要求1所述的過壓及欠壓保護電路，其特征在于：所述過壓檢測單元（2）還包括有濾波電容C2，濾波電容C2一端與齊納二極管D2的負極連接，另一端接地。

4.根據權利要求1所述的過壓及欠壓保護電路，其特征在于：所述開關控制單元（4）還包括有保護電阻R5，保護電阻R5一端與MOS晶體管Q3的漏極連接，另一端與MOS晶體管Q3的柵極連接。