[實(shí)用新型]用于化學(xué)機(jī)械研磨的固定環(huán)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201120545807.5 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202367586U | 公開(公告)日: | 2012-08-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃孝鵬;張巧峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | B24B37/27 | 分類號(hào): | B24B37/27 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 化學(xué) 機(jī)械 研磨 固定 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別是涉及一種用于化學(xué)機(jī)械研磨的固定環(huán)。
背景技術(shù)
隨著集成電路尤其是超大規(guī)模集成電路的飛速發(fā)展,和電子元件的特征尺寸不斷縮小,集成電路制造工藝對(duì)半導(dǎo)體工藝的表面平坦化處理要求越來越高?;瘜W(xué)機(jī)械研磨(CMP,Chemical?Mechanical?Polishing)工藝能夠提供優(yōu)良的全局平坦化技術(shù),在集成電路制造領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。化學(xué)機(jī)械研磨工藝是利用混有微小顆粒的研磨液與半導(dǎo)體晶片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成容易被機(jī)械摩擦去除的表面研磨層,經(jīng)過機(jī)械研磨后得到超平坦的表面。
通常金屬互連材料,例如銅、鎢和鋁等,采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝進(jìn)行表面平坦化。但是,化學(xué)機(jī)械研磨工藝會(huì)帶來兩個(gè)顯著的質(zhì)量問題。首先,化學(xué)機(jī)械研磨工藝中使用的研磨液含有微小顆粒,往往會(huì)使金屬表面存有微小擦痕(Scratch),這些擦痕容易引起金屬間的短路或開路現(xiàn)象。其次,在表面研磨層去除后,金屬在較短的時(shí)間內(nèi)容易和研磨液發(fā)生反應(yīng),而容易被腐蝕(Suffer?Corrosion),影響金屬電性能。此外,當(dāng)化學(xué)機(jī)械研磨工藝在進(jìn)行中被中斷,例如發(fā)生機(jī)械故障,研磨液和金屬長時(shí)間接觸,會(huì)更大面積地腐蝕金屬,嚴(yán)重影響金屬電性能。
因此,如何改善化學(xué)機(jī)械研磨工藝帶來的金屬表面擦痕和金屬腐蝕問題,仍是現(xiàn)有技術(shù)發(fā)展中急需解決的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種用于化學(xué)機(jī)械研磨的固定環(huán),以防止金屬腐蝕,減少金屬表面擦痕和延長機(jī)器檢修時(shí)間。
為解決上述問題,本實(shí)用新型提供一種用于化學(xué)機(jī)械研磨的固定環(huán),適于固定一晶片,所述固定環(huán)包括:一環(huán)形本體,其內(nèi)部開設(shè)有一環(huán)形通道;至少一個(gè)第一孔,分布在環(huán)形本體的外壁上,且與環(huán)形通道連通;多個(gè)第二孔,均勻分布在環(huán)形本體的內(nèi)壁上,且與環(huán)形通道連通。
較佳的,所述第一孔的位置與所述第二孔的位置錯(cuò)開。
優(yōu)選的,所述第一孔的位置與兩個(gè)相鄰的第二孔中間的位置相對(duì)應(yīng)。
較佳的,所述第二孔的個(gè)數(shù)至少為4個(gè),優(yōu)選為4的倍數(shù)個(gè)。
其中,所述第一孔用于將保護(hù)液導(dǎo)入所述環(huán)形通道內(nèi),并經(jīng)由所述第二孔將保護(hù)液均勻噴灑在晶片表面上。
采用本實(shí)用新型的固定環(huán),在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中,當(dāng)機(jī)器發(fā)生故障時(shí),工藝被中斷,固定在所述固定環(huán)上的晶片通過真空技術(shù)在固定環(huán)內(nèi)被提起,并暴露出固定環(huán)內(nèi)壁上的第二孔。此時(shí)從固定環(huán)外壁上的第一孔將保護(hù)液導(dǎo)入環(huán)形通道,并經(jīng)由第二孔將保護(hù)液均勻噴灑在晶片表面上。所述保護(hù)液用來清洗晶片金屬表面上的研磨液,防止金屬被腐蝕;并且由于金屬表面上研磨液含有的微小顆粒被清洗掉,可減少在后續(xù)的化學(xué)機(jī)械研磨工藝中金屬表面上產(chǎn)生擦痕。此外,由于不用擔(dān)心金屬被腐蝕,可延長設(shè)備工程師檢查故障和修理機(jī)器的時(shí)間。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中用于化學(xué)機(jī)械研磨的固定環(huán)的剖視圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。
在本實(shí)用新型實(shí)施例中,提供一種用于化學(xué)機(jī)械研磨的固定環(huán),適于固定一晶片,晶片通過真空技術(shù)固定在固定環(huán)上。圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中用于化學(xué)機(jī)械研磨的固定環(huán)的剖視圖。如圖1所示,所述固定環(huán)包括:一環(huán)形本體1,其內(nèi)部開設(shè)有一環(huán)形通道2;至少一個(gè)第一孔3,分布在環(huán)形本體1的外壁上,且與環(huán)形通道2連通;多個(gè)第二孔4,均勻分布在環(huán)形本體1的內(nèi)壁上,且與環(huán)形通道2連通。
其中,所述第一孔3的位置與所述第二孔4的位置錯(cuò)開,優(yōu)選為:所述第一孔3的位置與兩個(gè)相鄰的第二孔4中間的位置相對(duì)應(yīng)。所述第二孔4的個(gè)數(shù)至少為4個(gè),優(yōu)選為4的倍數(shù)個(gè),即4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)、32個(gè)等等。雖然圖1中所示的第一孔3個(gè)數(shù)為1個(gè),第二孔4個(gè)數(shù)為4個(gè),但是根據(jù)實(shí)際需要可以對(duì)所述第一孔3和所述第二孔4的個(gè)數(shù)和位置進(jìn)行調(diào)整,并不以本實(shí)施例為限制。
第一孔3用于將保護(hù)液導(dǎo)入環(huán)形通道2內(nèi),并經(jīng)由第二孔4將保護(hù)液均勻噴灑在晶片表面上。
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