[實用新型]用于MOSFET功放管引腳的成型結構

有效

• 申請號: 201120509555.0
• 申請日: 2011-12-09
• 公開（公告）號: CN202336527U
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 肖相余
• 申請（專利權）人: 成都芯通科技股份有限公司
• 主分類號: B21D35/00
• 分類號: B21D35/00;B21D37/10;H01L21/48
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 廖曾;梁田

技術領域

本實用新型涉及一種安裝結構，尤其是涉及一種用于MOSFET功放管引腳的成型結構。

背景技術

MOSFET功放管應用于醫療功放系統，實現功率放大；MOSFET功放管引腳為長條狀，與安裝面平行；但在某醫療功放系統中，由于結構和布局限制，要求MOSFET功放管引腳成型為某特定形狀，以滿足安裝要求！傳統的彎腳工裝沒有實現功放管引腳按預定尺寸成型，不能滿足批量生產中的一致性，并容易導致引腳在成型中受損傷。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服上述現有技術的缺點和不足，提供一種用于MOSFET功放管引腳的成型結構，該成型結構能夠保護引腳在成型中不受損傷，滿足批量生產中的一致性，且裝置簡單實用，操作方便，降低了生產成本，提高了生產效率。

本實用新型的目的通過下述技術方案實現：用于MOSFET功放管引腳的成型結構，包括底座，所述底座上設置有定位結構，所述定位結構上方設置有成型塊。

所述定位結構和成型塊之間設置有壓塊，所述壓塊固定在成型塊上。

所述成型塊的側壁上設置有上模刀口，所述定位結構的側壁上設置有下模刀口，所述上模刀口與下模刀口的側壁在同一垂直面內。

所述上模刀口與下模刀口均采用模具鋼制成。

所述壓塊采用塑料或黃銅制成。

所述定位結構和成型塊均采用黃銅制成。

綜上所述，本實用新型的有益效果是：該成型結構能夠保護引腳在成型中不受損傷，滿足批量生產中的一致性，且裝置簡單實用，操作方便，降低了生產成本，提高了生產效率。

附圖說明

圖1是本實用新型的剪腳結構示意圖；

圖2是本實用新型的初次成型結構示意圖；

圖3是本實用新型的最終成型結構示意圖。

附圖中標記及相應的零部件名稱：1—成型塊；2—壓塊；3—定位結構；4—底座；5—下模刀口；6—上模刀口。

具體實施方式

下面結合實施例及附圖，對本實用新型作進一步的詳細說明，但本實用新型的實施方式不僅限于此。

實施例：

如圖1、圖2、圖3所示，用于MOSFET功放管引腳的成型結構，包括底座4，所述底座4上設置有定位結構3，所述定位結構3上方設置有成型塊1。

所述定位結構3和成型塊1之間設置有壓塊2，所述壓塊2固定在成型塊1上。

所述成型塊1的側壁上設置有上模刀口6，所述定位結構3的側壁上設置有下模刀口5，所述上模刀口6與下模刀口5的側壁在同一垂直面內。

所述上模刀口6與下模刀口5均采用模具鋼制成。

所述壓塊2采用塑料或黃銅制成。

所述定位結構3和成型塊1均采用黃銅制成。所述上模刀口6與下模刀口5采用HRC硬度大于40的模具鋼，壓塊2采用塑料或黃銅，定位結構3和成型塊1采用黃銅，所有金屬材料其表面需要進行電鍍處理以防銹。

MOSFET是金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。

將MOSFET功放管引腳成型的工裝分三步來實現，第一步實現剪腳，第二步完成初次成型，第三步完成最終成型；第一步剪腳的實現方案為：通過計算和工程經驗確定引腳剪腳長度，在剪腳工裝底座4設計MOSFET功放管的放置定位結構3和剪腳下模刀口5，在剪腳工裝上模對應位置設計壓塊2和上模刀口6，將功放管輕松放入預設位置，上模從上而下移動，上模壓塊2首先壓緊MOSFET功放管，而后上模刀口6與下模刀口5形成Y方向剪切力切段MOSFET功放管引腳，保證保留在MOSFET功放管上的引腳長度滿足設計要求；第二步初次成型的實現方案為：在成型工裝底座4設計MOSFET功放管的放置定位結構3和成型塊1，在成型工裝上模對應位置設計壓塊2和成型塊1，將功放管輕松放入預設位置，上模從上而下移動，上模壓塊2首先壓緊MOSFET功放管，而后上模成型塊1壓在下模成型塊1上使得MOSFET功放管引腳成型；第三步最終成型的實現方案為：在成型工裝底座設計MOSFET功放管的放置定位結構3和成型塊1，在成型工裝上模對應位置設計壓塊2和成型塊1，將功放管輕松放入預設位置，上模從上而下移動，上模壓塊2和成型塊1的壓塊首先壓緊MOSFET功放管，而后上模壓塊2和成型塊1中的成型塊1壓在下模成型塊1上使得MOSFET功放管引腳最終成型。

采取上述方式，就能較好地實現本實用新型。