[實用新型]用于MOSFET功放管引腳的成型結構有效
| 申請號： | 201120509555.0 | 申請日： | 2011-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN202336527U | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 肖相余 | 申請（專利權）人： | 成都芯通科技股份有限公司 |
| 主分類號： | B21D35/00 | 分類號： | B21D35/00;B21D37/10;H01L21/48 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 廖曾;梁田 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 mosfet 功放 引腳 成型 結構 | ||
【權利要求書】：
1.用于MOSFET功放管引腳的成型結構，其特征在于：包括底座（4），所述底座（4）上設置有定位結構（3），所述定位結構（3）上方設置有成型塊（1）。
2.如權利要求1所述的用于MOSFET功放管引腳的成型結構，其特征在于：所述定位結構（3）和成型塊（1）之間設置有壓塊（2），所述壓塊（2）固定在成型塊（1）上。
3.如權利要求2所述的用于MOSFET功放管引腳的成型結構，其特征在于：所述成型塊（1）的側壁上設置有上模刀口（6），所述定位結構（3）的側壁上設置有下模刀口（5），所述上模刀口（6）與下模刀口（5）的側壁在同一垂直面內。
4.如權利要求3所述的用于MOSFET功放管引腳的成型結構，其特征在于：所述上模刀口（6）與下模刀口（5）均采用模具鋼制成。
5.如權利要求3所述的用于MOSFET功放管引腳的成型結構，其特征在于：所述壓塊（2）采用塑料或黃銅制成。
6.如權利要求3所述的用于MOSFET功放管引腳的成型結構，其特征在于：所述定位結構（3）和成型塊（1）均采用黃銅制成。
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