[實用新型]一種用于橋式驅動電路中的高壓隔離環結構

有效

• 申請號: 201120495138.5
• 申請日: 2011-12-02
• 公開（公告）號: CN202339919U
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 孫騰達
• 申請（專利權）人: 日銀IMP微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 程曉明;周玨

1.一種用于橋式驅動電路中的高壓隔離環結構，包括P型襯底和在所述的P型襯底上生長一層N型外延材料構成的N型外延層，其特征在于所述的N型外延層上加工制作有P型隔離、深硼、P阱、第一RESURF和LDMOS管，所述的深硼中形成有第一P+有源區，所述的P型隔離與所述的第一P+有源區和所述的深硼之間均存在交疊區域，所述的P阱與所述的第一RESURF之間存在交疊區域，所述的P阱中形成有第二P+有源區，所述的第二P+有源區與所述的第一RESURF之間存在交疊區域，所述的LDMOS管的柵極為加工制作于所述的N型外延層的上表面上的柵多晶，所述的柵多晶覆蓋到所述的P阱的外邊界以內的部分區域和以外的部分區域，所述的LDMOS管的源極形成在下述結構上：所述的P阱的外邊界與所述的第一RESURF的外邊界之間的區域中形成有第一N+有源區，所述的第一N+有源區的外邊界與所述的柵多晶的內邊界相重合，所述的第一N+有源區的內邊界與所述的第二P+有源區的外邊界之間存在間隙，所述的第一N+有源區通過接觸孔引出金屬觸點作為所述的LDMOS管的源極，所述的LDMOS管的襯底形成在下述結構上：所述的P阱通過所述的第二P+有源區連接到接觸孔引出的金屬觸點作為LDMOS管的襯底，所述的LDMOS管的漏極形成在下述結構上：所述的N型外延層中加工制作有第二N+有源區，所述的第二N+有源區的外邊界與所述的第一RESURF的內邊界之間存在間隙，所述的第二N+有源區通過接觸孔引出金屬觸點作為所述的LDMOS管的漏極，所述的第二N+有源區的內邊界所圍成的區域為隔離環內邏輯版圖區域，用于繪制高壓側邏輯控制電路版圖。

2.根據權利要求1所述的一種用于橋式驅動電路中的高壓隔離環結構，其特征在于所述的P阱被所述的柵多晶覆蓋的區域的上表面在所述的柵多晶加電壓時形成所述的LDMOS管的溝道。

3.根據權利要求1或2所述的一種用于橋式驅動電路中的高壓隔離環結構，其特征在于所述的P型隔離、所述的深硼和所述的第一P+有源區之間電連接，并通過接觸孔引出金屬觸點連接到高壓隔離環外的低壓側邏輯控制電路的地信號上。

4.根據權利要求1所述的一種用于橋式驅動電路中的高壓隔離環結構，其特征在于所述的LDMOS管的柵極連接到高壓隔離環外的低壓側邏輯控制電路上，由高壓隔離環外的低壓側邏輯控制電路控制所述的LDMOS管的柵極的電位，決定所述的LDMOS管的開關狀態；所述的LDMOS管的源極連接到高壓隔離環外的低壓側邏輯控制電路的電源信號上；所述的LDMOS管的襯底連接到高壓隔離環外的低壓側邏輯控制電路上，由高壓隔離環外的低壓側邏輯控制電路控制所述的LDMOS管的襯底的電位；所述的LDMOS管的漏極連接到高壓隔離環環繞的高壓側邏輯控制電路的電源信號上。

5.根據權利要求4所述的一種用于橋式驅動電路中的高壓隔離環結構，其特征在于所述的P型隔離、所述的深硼、所述的第一P+有源區、所述的柵多晶、所述的P阱、所述的第一N+有源區、所述的第二P+有源區、所述的第一RESURF和所述的第二N+有源區在版圖中從外到里依次的邊界關系為：所述的P型隔離的外邊界、所述的深硼的外邊界、所述的第一P+有源區的外邊界、所述的P型隔離的內邊界、所述的第一P+有源區的內邊界、所述的深硼的內邊界、所述的柵多晶的外邊界、所述的P阱的外邊界、所述的柵多晶的內邊界與所述的第一N+有源區的外邊界相重合的邊界、所述的第一N+有源區的內邊界、所述的第二P+有源區的外邊界、所述的第一RESURF?的外邊界、所述的第二P+有源區的內邊界、所述的P阱的內邊界、所述的第一RESURF?的內邊界、所述的第二N+有源區的外邊界、所述的第二N+有源區的內邊界。

6.根據權利要求5所述的一種用于橋式驅動電路中的高壓隔離環結構，其特征在于所述的第一N+有源區在版圖中呈封閉或不封閉的環行結構。

7.根據權利要求6所述的一種用于橋式驅動電路中的高壓隔離環結構，其特征在于所述的N型外延層上還加工制作有第二RESURF，所述的第二RESURF與所述的P型隔離、所述的深硼及所述的第一P+有源區之間均存在交疊區域，所述的第二RESURF的內邊界以內的部分區域被所述的柵多晶覆蓋，所述的第二RESURF的內邊界與所述的P阱的外邊界之間存在間隙。

8.根據權利要求7所述的一種用于橋式驅動電路中的高壓隔離環結構，其特征在于所述的P型隔離、所述的深硼、所述的第一P+有源區、所述的第二RESURF、所述的柵多晶、所述的P阱、所述的第一N+有源區、所述的第二P+有源區、所述的第一RESURF和所述的第二N+有源區在版圖中從外到里依次的邊界關系為：所述的P型隔離的外邊界、所述的深硼的外邊界、所述的第一P+有源區的外邊界、所述的第二RESURF的外邊界、所述的P型隔離的內邊界、所述的第一P+有源區的內邊界、所述的深硼的內邊界、所述的柵多晶的外邊界、所述的第二RESURF的內邊界、所述的P阱的外邊界、所述的柵多晶的內邊界與所述的第一N+有源區的外邊界相重合的邊界、所述的第一N+有源區的內邊界、所述的第二P+有源區的外邊界、所述的第一RESURF?的外邊界、所述的第二P+有源區的內邊界、所述的P阱的內邊界、所述的第一RESURF?的內邊界、所述的第二N+有源區的外邊界、所述的第二N+有源區的內邊界。