[實(shí)用新型]一種采用虛擬地結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的近閾值電源電壓SRAM單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201120489496.5
• 申請(qǐng)日: 2011-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202363120U
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李瑋;陸俊嘉;狄永清;尚壯壯;倪偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 無(wú)錫芯響電子科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C11/413
• 分類(lèi)號(hào): G11C11/413
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種采用虛擬地結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的近閾值電源電壓SRAM單元，包括：

一對(duì)交叉耦合的反相器，所述的一對(duì)交叉耦合的反相器中的一個(gè)反相器連接在電源（Vcc）和虛擬地（VirVss）之間，另一個(gè)反相器連接在電源（Vcc）和地（Vss）之間；

一對(duì)互補(bǔ)MOS傳輸門(mén)，所述互補(bǔ)MOS傳輸門(mén)由PMOS晶體管（PM0）和NMOS晶體管（NM0）構(gòu)成，其中PMOS晶體管（PM0）的柵極與控制線(xiàn)相連，源極或漏極與上述連接在電源（Vcc）和虛擬地（VirVss）之間的反相器的輸出端相連，漏極或源極與比特線(xiàn)（BL）相連，NMOS晶體管（NM0）的柵極與控制線(xiàn)相連，源極或漏極與上述連接在電源（Vcc）和虛擬地（VirVss）之間的反相器的輸出端相連，漏極或源極與比特線(xiàn)（BL）相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用虛擬地結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的近閾值電源電壓SRAM單元，其特征在于：所述的PMOS晶體管柵極控制線(xiàn)和NMOS晶體管柵極控制線(xiàn)具有相反的邏輯。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種采用虛擬地結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的近閾值電源電壓SRAM單元，其特征在于：所述PMOS晶體管和NMOS晶體管的控制線(xiàn)分別與兩條字線(xiàn)（WLB）（WL）相連，所述的字線(xiàn)具有相反的邏輯，且在包含多個(gè)所述SRAM單元的存儲(chǔ)器陣列中；所述控制線(xiàn)和所述字線(xiàn)（WLB）（WL）垂直，所述字線(xiàn)（WLB）（WL）與電源線(xiàn)地線(xiàn)（Vss）平行。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用虛擬地結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的近閾值電源電壓SRAM單元，其特征在于：所述虛擬地（VirVss）結(jié)構(gòu)由一個(gè)NMOS晶體管（NM3）和一個(gè)PMOS晶體管（PM3）構(gòu)成，其中NMOS晶體管（NM3）的柵極與讀控制線(xiàn)（rd_sel）相連，漏極和虛擬地（VirVss）相連，源極和地（Vss）相連，PMOS晶體管（PM3）的柵極、漏極和地（Vss）相連，源極和虛擬地（VirVss）相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種采用虛擬地結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的近閾值電源電壓SRAM單元，其特征在于：所述的讀控制線(xiàn)（rd_sel）在包含多個(gè)所述SRAM單元的存儲(chǔ)器陣列中，讀控制線(xiàn)（rd_sel）與電源線(xiàn)地線(xiàn)（Vss）平行。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種采用虛擬地結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的近閾值電源電壓SRAM單元，其特征在于：所述的虛擬地結(jié)構(gòu)，在包含多個(gè)所述SRAM單元的存儲(chǔ)器陣列中，每一列中的SRAM單元公用一個(gè)虛擬地結(jié)構(gòu)。