[實用新型]晶圓薄膜定向生長的監控裝置

有效

• 申請號: 201120429200.0
• 申請日: 2011-11-02
• 公開（公告）號: CN202330278U
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 涂火金;三重野文健
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G01N21/35
• 分類號: G01N21/35;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及一種化學氣相沉積領域，尤其涉及一種晶圓薄膜定向生長的監控裝置。

背景技術

目前，在化學氣相沉積領域內，鍺化硅(SiGe)廣泛應用于P型金屬氧化物半導體(PMOS)晶體管制造工藝中。該PMOS晶體管制造工藝在外延機臺內僅需對晶圓表面的PMOS的源極和漏極定向生長SiGe，而晶圓的其他部位并不期望生長出SiGe。在該外延機臺內，通常采用HCL氣體對晶圓表面進行SiGe的定向生長，并且，在該定向生長反應中，HCL氣體流量是固定的。

當晶圓進行批量的SiGe定向生長工藝后，通常采用檢測機臺對晶圓的表面進行掃描。該檢測機臺是用于掃描晶圓表面的微塵和缺陷情況的機臺。如果由于外延機臺的選擇性不好而在晶圓的SiO₂或Si₃N₄表面上沉積出SiGe，則將不符合要求，該檢測機臺可以識別這種情況。一旦，晶圓的掃描結果具有缺陷，不符合要求，則該晶圓將報廢。又由于晶圓在外延機臺內進行批量生長，因此，晶圓的報廢數量往往比較大，由此帶來了巨大的經濟損失。

因此，如何提供一種可以監控晶圓薄膜定向生長情況的監控裝置是本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供晶圓薄膜定向生長的監控裝置，通過設置紅外線發射器和紅外線探測器可以監控晶圓表面的薄膜定向生長情況。

為了達到上述的目的，本實用新型采用如下技術方案：

一種晶圓薄膜定向生長的監控裝置，設置于反應腔內，包括紅外線發射器和紅外線探測器，所述紅外線發射器和所述紅外線探測器相對設置于所述反應腔的頂部。

所述紅外線發射器可轉動角度式設置于所述反應腔的頂部。

所述紅外線發射器通過萬向接頭設置于所述反應腔的頂部。

所述紅外線探測器可轉動角度式設置于所述反應腔的頂部。

所述紅外線探測器通過萬向接頭設置于所述反應腔的頂部。

所述晶圓薄膜定向生長的監控裝置還包括一控制器，所述反應腔內設有供氣管路，所述供氣管路上設有控制閥，所述控制器分別與所述紅外線探測器和所述控制閥連接。

所述晶圓薄膜定向生長的監控裝置還包括一報警器，所述報警器和所述控制器連接。

所述晶圓薄膜定向生長的監控裝置還包括一報警器，所述報警器和所述紅外線探測器連接。

本實用新型的有益效果如下：

本實用新型提供的晶圓薄膜定向生長的監控裝置，通過在反應腔的頂部設置紅外線發射器和紅外線探測器，該紅外線發射器發出的紅外線射到晶圓的表面并被晶圓的表面反射，該紅外線探測器會接收晶圓表面反射出的紅外線，由于每種物質對應的紅外線光譜是不同的，因此，紅外線探測器可以識別出晶圓表面不同部位的物質構成，也即，紅外線探測器可以識別出晶圓表面的薄膜定向生長情況。另外，通過設置控制器和控制閥，控制器可以接收來自紅外線探測器的信息，并對該信息進行處理和分析后，向控制閥發出指令，通過控制閥自動調整供氣管路的流量，使得晶圓表面的定向生長反應趨于正常。

附圖說明

本實用新型的晶圓薄膜定向生長的監控裝置由以下的實施例及附圖給出。

圖1是本實用新型實施例的晶圓薄膜定向生長的監控裝置的結構示意圖；

圖2是本實用新型實施例的晶圓薄膜定向生長的監控裝置的電路示意圖。

圖中，1-晶圓、2-紅外線發射器2、3-紅外線探測器、4-反應腔的頂部、5-控制器、6-控制閥、7-報警器。

具體實施方式

以下將對本實用新型的晶圓薄膜定向生長的監控裝置作進一步的詳細描述。

下面將參照附圖對本實用新型進行更詳細的描述，其中表示了本實用新型的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本實用新型而仍然實現本實用新型的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本實用新型的限制。

為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本實用新型由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須作出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。