[實用新型]一種新型LED芯片

有效

• 申請號: 201120426897.6
• 申請日: 2011-10-31
• 公開（公告）號: CN202308027U
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 丁杰;王金
• 申請（專利權）人: 深圳市銳駿半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型屬于半導體技術領域，涉及一種新型LED芯片。

背景技術

外量子效率是高亮度新型LED芯片的主要技術瓶頸，其大小等于內量子效率與光的出射率之積。當前，商業化LED的內量子效率已經接近100％，但是外量子效率小于30％。這主要是由于光的出射率低造成的。引起光的出射率低的主要因素有：晶格缺陷對光的吸收，襯底對光的吸收，光在出射過程中，在各個界面由于全反射造成的損失。目前，常用的新型LED芯片在刻蝕后所有的側壁與垂直線的典型夾角小于10。，由于GaN和空氣的折射率分別是2.5和1，在InGaN-GaN活性區產生的光能夠傳播出去的臨界角約為23。因此LED發射的大部分光在界面被反射回來，形成波導光被困在器件內部，經過多次反射最終被半導體吸收，這大大限制了GaN基發光二極管的外量子效率。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是：提供一種新型LED芯片，能夠提高新型LED芯片的出光效率。

為解決上述技術問題，本實用新型采用如下技術方案：

一種新型LED芯片，包括硅片，設置在硅片上面處理器模塊、加解密模塊，存儲模塊，電源檢測模塊和安全輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過安全芯片內部的總線相互連接，管腳控制模塊連接于處理器模塊和管腳模塊之間，在硅片背面依次設置的鈦層、鎳層、銀層，在硅片背面位于硅片和鈦層之間設有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為0.1～2.5μm，新型LED芯片的部分側壁或全部側壁呈凹凸不平狀。

作為本實用新型的一種優選方案，所述新型LED芯片的部分側壁或全部側壁呈波紋狀。優選地，ICP刻蝕后的新型LED芯片周圍的所有側壁呈波紋狀。

作為本實用新型的一種優選方案，所述新型LED芯片的部分側壁或全部側壁呈鋸齒狀。優選地，所述新型LED芯片的所有側壁呈鋸齒狀。

本實用新型的有益效果在于：本實用新型提出的新型LED芯片，通過將新型LED芯片的部分側壁或全部側壁設計成凹凸不平狀，從而可以提高新型LED芯片的出光效率。優點是：通過在硅片背面設高純鋁層，使芯片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬復合結構，鈦、鎳作為緩沖層能夠降低應力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導通壓降，進而降低通態功耗，使可控硅芯片發熱量低，可靠性好，使用壽命長。

附圖說明

圖1為本實用新型LED芯片的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖詳細說明本實用新型的優選實施例。

實施例一

請參閱圖1本實用新型揭示了一種新型LED芯片，包括硅片，設置在硅片上面處理器模塊、加解密模塊9，存儲模塊10，電源檢測模塊和安全輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過安全芯片內部的總線相互連接，管腳控制模塊8連接于處理器模塊6和管腳模塊7之間，在硅片背面依次設置的鈦層、鎳層、銀層，在硅片背面位于硅片和鈦層之間設有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為0.1～2.5μm，新型LED芯片的部分側壁或全部側壁呈凹凸不平狀。

在硅片背面依次設置的鈦層3、鎳層4、銀層5，在硅片1背面位于硅片1和鈦層3之間設有高純鋁層2，所述的高純鋁層2的厚度為0.1～2.5μm，新型LED芯片的部分側壁或全部側壁呈凹凸不平狀。作為本實用新型的一種優選方案，所述新型LED芯片的部分側壁或全部側壁呈波紋狀。優選地，ICP刻蝕后的新型LED芯片周圍的所有側壁呈波紋狀。

作為本實用新型的一種優選方案，所述新型LED芯片的部分側壁或全部側壁呈鋸齒狀。優選地，所述新型LED芯片的所有側壁呈鋸齒狀。

本實用新型的有益效果在于：本實用新型提出的新型LED芯片，通過將新型LED芯片的部分側壁或全部側壁設計成凹凸不平狀，從而可以提高新型LED芯片的出光效率。優點是：通過在硅片背面設高純鋁層，使芯片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬復合結構，鈦、鎳作為緩沖層能夠降低應力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導通壓降，進而降低通態功耗，使可控硅芯片發熱量低，可靠性好，使用壽命長。

實施例二

本實施例中，所述新型LED芯片的部分側壁或全部側壁呈鋸齒狀。優選地，所述新型LED芯片的所有側壁呈鋸齒狀。

本實施例中新型LED芯片的這種側壁結構也可以增加側向光源的出光面積，使芯片獲得更多的出光。

此外，新型LED芯片的部分側壁或全部側壁還可以呈現其他凹凸不平狀，如不規則的凹凸不平狀，只要可以增加芯片側面的出光面積即可。

這里本實用新型的描述和應用是說明性的，并非想將本實用新型的范圍限制在上述實施例中。這里所披露的實施例的變形和改變是可能的，對于那些本領域的普通技術人員來說實施例的替換和等效的各種部件是公知的。本領域技術人員應該清楚的是，在不脫離本實用新型的精神或本質特征的情況下，本實用新型可以以其它形式、結構、布置、比例，以及用其它組件、材料和部件來實現。在不脫離本實用新型范圍和精神的情況下，可以對這里所披露的實施例進行其它變形和改變。在硅片背面設高純鋁層，使芯片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬復合結構，鈦、鎳作為緩沖層能夠降低應力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導通壓降，進而降低通態功耗，使可控硅芯片發熱量低，可靠性好，使用壽命長。