[實用新型]一種超寬帶低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201120400667.2
• 申請日: 2011-10-20
• 公開（公告）號: CN203313125U
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 施金偉
• 申請（專利權）人: 蘇州微體電子科技有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03G3/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超寬帶低噪聲放大器，由匹配級(1)、放大級(2)、負載級(3)依次連接組成，其特征在于所述放大級(2)由四個MOS管和兩個反饋電路組成，放大級(2)為四端口網絡，兩個輸入端，兩個輸出端；其中，第一輸入端(Vim)連接第一MOS管(M1)的柵極，第一輸出端(Vom)接第二MOS管(M2)的漏極，第一MOS管(M1)的柵極與第二MOS管(M2)的漏極之間連接第一反饋電路；第二輸入端(Vip)接第三MOS管(M3)的柵極，第二輸出端(Vop)接第四MOS管(M4)的漏極，第三MOS管(M3)的柵極與第四MOS管(M4)的漏極之間連接第二反饋電路；兩個共源MOS管即第一MOS管(M1)、第三MOS管(M3)的漏端分別接兩個共柵MOS管即第二MOS管(M2)、第四MOS管(M4)的源端。

2.如權利要求1所述的一種超寬帶低噪聲放大器集成電路，其特征在于所述第一反饋電路由第一反饋電阻(R_f1)、第一反饋電容(C_f1)、第一反饋電感(L_f1)串聯組成；第二反饋電路由第二反饋電阻(R_f2)、第二反饋電容(C_f2)、第二反饋電感(L_f2)串聯組成。