有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120353279.3 | 申請日: | 2011-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN202523710U | 公開(公告)日: | 2012-11-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孫建松 | 申請(專利權)人: | 孫建松 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G01N23/04;G01T1/24;G01T1/20 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 314500 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高效 dr 非晶硅 探測 | ||
技術領域
本實用新型涉及醫(yī)療器械及金屬探傷領域,具體涉及直接X線數(shù)字化成像(DR)領域。?
背景技術
DR由探測器、影像處理器、圖像顯示器等組成。透射過人體后的X線信號被探測獲取,直接形成數(shù)字影像,數(shù)字影像數(shù)據(jù)傳到計算機,在顯示器上顯示,也可以進行后期處理。現(xiàn)在主要的DR探測器為非晶硅探測器和非晶硒探測器,其它還有空氣探測器、CCD探測器。非晶硅探測器和非晶硒探測器都被稱為平板探測器。傳統(tǒng)DR非晶硅探測器探測板采用單面數(shù)據(jù)采集,即閃爍體涂層(如:碘化銫等)+薄膜晶體管(TFT)。成像所需X線劑量相對較高,且數(shù)據(jù)信號較弱,抗干擾能力差。?
發(fā)明內容
本實用新型提供一種高效DR非晶硅探測板,理論上效率提高一倍。?
要解決的技術問題:增加源數(shù)據(jù)的采集,提高數(shù)據(jù)信號采集效率。?
本實用新型解決其技術問題的技術方案是:探測板閃爍體涂層上下均有TFT層供數(shù)據(jù)采集,即薄膜晶體管(TFT)+閃爍體涂層(如:碘化銫等)+薄膜晶體管(TFT),因閃爍體涂層上下均有TFT數(shù)據(jù)采集層,從而增加一倍的數(shù)據(jù)源。?
本實用新型的有益效果是:提高傳統(tǒng)DR的X線轉換率,降低X線輻射劑量,減少輻射危害。?
附圖說明
下面結合附圖對本實用新型進一步說明。?
圖1是本實用新型的結構示意圖。?
圖中:上基板,2.上TFT層,3.閃爍體涂層,4.下TFT層,5.下基板。?
具體實施方式
探測器探測板采用上下兩塊基板,上基板相對薄一些,有利于X線穿透,上基板涂層朝下,下基板涂層朝上,上下TFT層呈單元對應,中間為閃爍體涂層(如:碘化銫等),閃爍體涂層與上下兩邊TFT層緊密相連,形式上類似傳統(tǒng)屏-片攝影中的膠片與上下增感屏之間的關系,中間閃爍體涂層接收X線轉化為可見光,再由上下光電管及薄膜三極管轉變?yōu)殡娦盘枺舷聠卧盘柉B加,理論上可提高一倍檢測效率。?
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





