[實用新型]一種高效DR非晶硅探測板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120353279.3 | 申請日： | 2011-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN202523710U | 公開（公告）日： | 2012-11-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫建松 | 申請（專利權(quán)）人： | 孫建松 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146;G01N23/04;G01T1/24;G01T1/20 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 314500 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高效 dr 非晶硅 探測 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種高效DR非晶硅探測板，其特征是探測板閃爍體涂層上下均有TFT層供數(shù)據(jù)采集。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測板，其特征是：探測板采用上下兩塊基板，上基板涂層朝下，下基板涂層朝上，上下TFT層呈單元對應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測板，其特征是：閃爍體涂層與上下兩邊TFT層緊密相連。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
