[實用新型]一種雙能X射線陣列探測器

有效

• 申請號: 201120314930.6
• 申請日: 2011-08-26
• 公開（公告）號: CN202217062U
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 劉笠浩
• 申請（專利權）人: 劉笠浩
• 主分類號: G01T1/202
• 分類號: G01T1/202;G01N23/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域：

本實用新型涉及輻射成像系統探測器，特別涉及應用于X射線輻射成像系統化中的一種雙能X射線陣列探測器。

背景技術：

X射線穿透被檢物體之后，其能譜會發生變化，其變化與被檢物體的材料組成有關，傳統的雙能X射線探測器是由高、低能兩個探測器組成，其中每個探測器又包括一個閃爍體陣列和一個光電二極管陣列。低能陣列探測器布置在靠近被檢物體的一側，主要吸收X射線能譜中的低能部分，高能陣列探測器布置在低能陣列探測器后面，主要吸收X射線能譜中的高能部分。一般在低能陣列測器和高能陣列探測器之間還配置一個濾波片來吸收X射線能譜中的低能部分。傳統的雙能X射線探測器不利于做到雙能X射線陣列探測器中的高、低能通道在同一射線位置采樣，進而影響掃描系統的材料識別能力。

發明內容：

本實用新型的目的在于為了解決上述問題，提供一種雙能X射線陣列探測器，利用這種雙能X射線探測器能夠測量穿透物體的X射線能譜中低能部分和高能部分的相對差別，進而識別材料的依據。

為了達到上述目的，本實用新型提供的技術方案是：雙能X射線陣列探測器在沿X射線的入射方向上依序包括第一閃爍體陣列、第一光電二極管、第一濾波片、PCB板、第二濾波片、第二光電二極管陣列和第二閃爍體陣列，所述第一閃爍體陣列、第一光電二極管陣列、第一濾波片、第二濾波片、第二光電二極管陣列和第二閃爍體陣列均以焊接或粘接的方式集成在所PCB板上。

在第一閃爍體陣列之前還包括準直器陣列。

所述的PCB板上還以焊接或粘接的方式集成有數據采集電路。

所述各陣列中所包含的元器件數量均相同且各陣列間的相應元器件互相對準。

所述的第一閃爍體陣列和第二閃爍體陣列由相同或不同閃爍體材料組成。

所述的閃爍體材料可選CsI(T1)、CdWO₄、GOS、ZnSe、YAG。

所述的第一濾波片和第二濾波片的材料為銅、銀、金、或者是含銅、銀、金的合金材料。

在第一閃爍體陣列中沉淀能量的X射線光子的能量低于在第二閃爍體陣列中沉淀能量的X射線光子的能量。

本實用新型提出的一種雙能X射線陣列探測器將低能陣列探測器、濾波片和高能陣列探測器集成在一個部件上，方便制造和使用。同時由于低能探測器陣列和高能探測器陣列對位準確，所以有利于提高射線掃描系統對材料的識別能力。

附圖說明：

圖1為本實用新型一種雙能X射線陣列探測器實施例1的示意圖。

圖2為本實用新型一種雙能X射線陣列探測器實施例2的示意圖。

圖3為本實用新型一種雙能X射線陣列探測器實施例3的示意圖。

圖中：1、低能閃爍體陣列，2、高能閃爍體陣列，3、第一光電二極管陣列，4、第二光電二極管陣列，5、第一濾波片，6、第二濾波片，7、PCB板，8、準直器陣列，9、采集電路。

具體實施方式：

實施例1：

圖1為本實用新型一種雙能X射線陣列探測器實施例1的示意圖。如圖所示，1為低能閃爍體陣列、2為高能閃爍體陣列，3為第一光電二極管陣列、4為第二光電二極管陣列、5為第一濾波片、6為第二濾波片、7為PCB板。如圖所示，上述低能閃爍體陣列1、高能閃爍體陣列2、第一光電二極管陣列3、第二光電二極管陣列4、第一濾波片5、第二濾波片6通過焊接或粘接的方式集成在PCB板7上。

當X射線A從低能閃爍體陣列1入射時，其先在低能閃爍體陣列1內部沉淀能量，激發閃爍光，由第一光電二極管陣列3將閃爍光信號轉換成低能探測電信號。之后，X射線繼續穿過第一濾波片5、PCB板7、第二濾波片6和第二光電二極管陣列4，最終進入高能閃爍體陣列2，并在閃爍體內部沉底能量釋放出閃爍光。由第二光電二極管陣列4收集閃爍光信號并將其轉換成高能探測器電信號。然后。上述高、低能探測器電信號通過PCB板7上的電路和插接件輸出給出后續的數據采集電路。

實施例2：