[實(shí)用新型]一種雙能X射線(xiàn)陣列探測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201120314930.6 | 申請(qǐng)日： | 2011-08-26 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN202217062U | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉笠浩 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 劉笠浩 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G01T1/202 | 分類(lèi)號(hào)： | G01T1/202;G01N23/04 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 450000 河南省鄭*** | 國(guó)省代碼： | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 射線(xiàn) 陣列 探測(cè)器 | ||
1.一種雙能X射線(xiàn)陣列探測(cè)器，其特征在于：該雙能X射線(xiàn)陣列探測(cè)器在沿X射線(xiàn)的入射方向上依序包括第一閃爍體陣列、第一光電二極管、第一濾波片、PCB板、第二濾波片、第二光電二極管陣列和第二閃爍體陣列，所述第一閃爍體陣列、第一光電二極管陣列、第一濾波片、第二濾波片、第二光電二極管陣列和第二閃爍體陣列均以焊接或粘接的方式集成在所PCB板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙能X射線(xiàn)陣列探測(cè)器，其特征在于：在第一閃爍體陣列之前還包括準(zhǔn)直器陣列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種雙能X射線(xiàn)陣列探測(cè)器，其特征在于：所述的PCB板上還以焊接或粘接的方式集成有數(shù)據(jù)采集電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種雙能X射線(xiàn)陣列探測(cè)器，其特征在于：所述各陣列中所包含的元器件數(shù)量均相同且各陣列間的相應(yīng)元器件互相對(duì)準(zhǔn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種雙能X射線(xiàn)陣列探測(cè)器，其特征在于：所述的第一閃爍體陣列和第二閃爍體陣列由相同或不同閃爍體材料組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種雙能X射線(xiàn)陣列探測(cè)器，其特征在于：所述的閃爍體材料可選CsI(T1)、CdWO4、GOS、ZnSe、YAG。?
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種雙能X射線(xiàn)陣列探測(cè)器，其特征在于：所述的第一濾波片和第二濾波片的材料為銅、銀、金、或者是含銅、銀、金的合金材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種雙能X射線(xiàn)陣列探測(cè)器，其特征在于：在第一閃爍體陣列中沉淀能量的X射線(xiàn)光子的能量低于在第二閃爍體陣列中沉淀能量的X射線(xiàn)光子的能量。?
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