[實(shí)用新型]TFT像素單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201120286123.8
• 申請(qǐng)日: 2011-08-08
• 公開（公告）號(hào): CN202167491U
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 康志聰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L29/786;H01L29/06;H01L29/08;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 歐陽啟明

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種液晶面板的像素單元，特別是有關(guān)于一種具有縱向結(jié)構(gòu)的TFT像素單元。

背景技術(shù)

請(qǐng)參考圖1所示，是現(xiàn)有TFT(thin-film?transistor，薄膜晶體管)像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖。一般來說，TFT像素單元包含掃描線90、資料線91、像素電極(圖中未示)及開關(guān)單元93，所述開關(guān)單元93包含柵極930、半導(dǎo)體層931、漏極932以及源極933。所述柵極930是所述掃描線90的一部分。所述半導(dǎo)體層931設(shè)置于所述柵極930上。所述漏極932則自所述資料線91一側(cè)延伸出而配置于所述半導(dǎo)體層931上。所述源極933則配置于所述半導(dǎo)體層931上并連接所述像素電極。對(duì)柵極930施加適當(dāng)電壓，即可在半導(dǎo)體層931形成電子通道，而使漏極932與源極933之間形成導(dǎo)通狀態(tài)，達(dá)到開關(guān)的作用，此時(shí)，連接源極933的像素電極即可被充電。從圖1可知，所述漏極932與所述源極933是配置于所述半導(dǎo)體層931的頂面。

快速的充電能力及高開口率(aperture?ratio)是一般TFT液晶顯示器對(duì)像素單元的設(shè)計(jì)需求。就現(xiàn)有技術(shù)而言，一般可藉由減少通道寬度(如圖1的C)或者增大源極與漏極之間的通道范圍，來提高像素單元的充電能力。

然而，減少通道寬度通常需要輔以特殊光罩及光阻的配合，制作設(shè)計(jì)困難。而增大通道范圍則會(huì)造成開口率的損失，使TFT液晶顯示器的光穿透率下降。

故，有必要提供一種TFT像素單元，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種TFT像素單元，其通過縱向的TFT像素結(jié)構(gòu)，減少了開口率的損失。

為達(dá)成本實(shí)用新型的前述目的，本實(shí)用新型提供一種TFT像素單元，所述TFT像素單元包含：

一掃描線，具有一內(nèi)側(cè)面；

一第一絕緣層，設(shè)于所述掃描線上并包覆所述內(nèi)側(cè)面；

一資料線，與所述掃描線彼此絕緣交錯(cuò)而共同定義一像素區(qū)；

一漏極段，自所述資料線一側(cè)延伸出而配置于第一絕緣層上；

一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述源極段的頂面；

一源極段，設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的頂面，所述漏極段、半導(dǎo)體層與所述源極段鄰近所述掃描線的內(nèi)側(cè)面；以及

一像素電極，設(shè)置所述像素區(qū)內(nèi)并連接所述源極段。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述源極段的寬度與所述半導(dǎo)體層的寬度相等。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述TFT像素單元還包含一共電極線與一第二電極，其中所述共電極線是隔著所述第一絕緣層絕緣地配置于所述像素電極底下，并與所述掃描線平行，且與所述資料線絕緣交錯(cuò)；所述第二電極是對(duì)應(yīng)所述共電極線的位置而設(shè)于所述第一絕緣層上，并連接所述像素電極。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述TFT像素單元還包含一第二絕緣層，其中所述第二絕緣層是覆蓋所述源極段、所述半導(dǎo)體層、所述漏極段及所述第二電極，并具有一對(duì)應(yīng)所述源極段的第一穿孔，所述像素電極是通過所述第一穿孔連接所述源極段。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述第二絕緣層還具有一對(duì)應(yīng)所述第二電極的第二穿孔，所述像素電極是通過所述第二穿孔連接所述第二電極。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體層包含非晶硅層及n型非晶硅層。

本實(shí)用新型主要是將所述資料線、漏極段、半導(dǎo)體層與源極段構(gòu)成一縱向堆疊結(jié)構(gòu)的TFT開關(guān)，減少了開口率的損失。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有TFT像素單元的局部平面圖。

圖2是本實(shí)用新型TFT像素單元一較佳實(shí)施例的局部平面圖。

圖3是圖2沿A-A’的剖視圖。

具體實(shí)施方式

為讓本實(shí)用新型上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉本實(shí)用新型較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。再者，本實(shí)用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實(shí)用新型，而非用以限制本實(shí)用新型。

請(qǐng)參考圖2及圖3所示，圖2及圖3分別為本實(shí)用新型TFT像素單元一較佳實(shí)施例的局部平面圖及剖視圖。本實(shí)用新型的TFT像素單元是應(yīng)用于薄膜晶體管液晶顯示器，包含有一掃描線10、一第一絕緣層11、一資料線12、一漏極段13、一半導(dǎo)體層14、一源極段15以及一像素電極16。

所述掃描線10是導(dǎo)電材料所構(gòu)成，具有一內(nèi)側(cè)面100。