[實(shí)用新型]TFT像素單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201120286123.8
• 申請(qǐng)日: 2011-08-08
• 公開（公告）號(hào): CN202167491U
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 康志聰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L29/786;H01L29/06;H01L29/08;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 歐陽(yáng)啟明

1.一種TFT像素單元，其特征在于：所述TFT像素單元包含：

一掃描線，具有一內(nèi)側(cè)面；

一第一絕緣層，設(shè)于所述掃描線上并包覆所述內(nèi)側(cè)面；

一資料線，與所述掃描線彼此絕緣交錯(cuò)而共同定義一像素區(qū)；

一漏極段，自所述資料線一側(cè)延伸出而配置于第一絕緣層上；

一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述源極段的頂面；

一源極段，設(shè)置于所述半導(dǎo)體層的頂面，所述漏極段、半導(dǎo)體層與所述源極段鄰近所述掃描線的內(nèi)側(cè)面；以及

一像素電極，設(shè)置所述像素區(qū)內(nèi)并連接所述源極段。

2.如權(quán)利要求1所述的TFT像素單元，其特征在于：所述源極段的寬度與所述半導(dǎo)體層的寬度相等。

3.如權(quán)利要求1所述的TFT像素單元，其特征在于：所述TFT像素單元還包含一共電極線與一第二電極，其中所述共電極線是隔著所述第一絕緣層絕緣地配置于所述像素電極底下，并與所述掃描線平行，且與所述資料線絕緣交錯(cuò)；所述第二電極是對(duì)應(yīng)所述共電極線的位置而設(shè)于所述第一絕緣層上，并連接所述像素電極。

4.如權(quán)利要求3所述的TFT像素單元，其特征在于：所述TFT像素單元還包含一第二絕緣層，其中所述第二絕緣層是覆蓋所述漏極段、所述半導(dǎo)體層、所述源極段及所述第二電極，并具有一對(duì)應(yīng)所述源極段的第一穿孔，所述像素電極是通過所述第一穿孔連接所述源極段。

5.如權(quán)利要求4所述的TFT像素單元，其特征在于：所述第二絕緣層還具有一對(duì)應(yīng)所述第二電極的第二穿孔，所述像素電極是通過所述第二穿孔連接所述第二電極。

6.如權(quán)利要求1所述的TFT像素單元，其特征在于：所述半導(dǎo)體層包含非晶硅層及n型非晶硅層。