[實用新型]一種LaB6空心陰極電子槍多功能離子鍍膜機有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120286047.0 | 申請日: | 2011-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN202201959U | 公開(公告)日: | 2012-04-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 中山弘建 | 申請(專利權(quán))人: | 中山弘建 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 東莞市中正知識產(chǎn)權(quán)事務所 44231 | 代理人: | 徐康 |
| 地址: | 日本國東京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 lab sub 空心 陰極 電子槍 多功能 離子 鍍膜 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及真空離子鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種LaB6空心陰極電子槍多功能離子鍍膜機。
背景技術(shù)
目前在真空離子鍍膜行業(yè)已有多弧與磁控濺射相組合的離子鍍膜機。現(xiàn)有的多弧與磁控濺射復合離子鍍膜機雖在一定程度上改善了膜層表面的粗糙度以及提高了表面的光亮度,但并沒有從根本上解決多弧離子鍍膜層中的液滴及大顆粒問題,并且磁控濺射離化率低,膜層與基片之間結(jié)合力差,在實際應用方面存在許多須待改進的地方。
實用新型內(nèi)容
本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種可明顯減少和細化多弧離子鍍表面大顆粒、提高磁控濺射離子鍍離化率、生產(chǎn)效率高的LaB6空心陰極電子槍多功能離子鍍膜機。
本實用新型由LaB6空心陰極電子槍、八角形真空室、上集束線圈、下集束線圈、輔助陽極、長方形法蘭、多弧陰極靶、磁控濺射靶、抽氣口、高閥、分子泵、粗抽泵和維持泵構(gòu)成。LaB6空心陰極電子槍設置在八角形真空室上部中心處,上集束線圈設置在八角形真空室上部邊緣,下集束線圈設置在八角形真空室下部邊緣;八角形真空室通過抽氣口與高閥相連接,高閥底部與分子泵連接,分子泵前級與維持泵連接,爐體底部與粗抽泵連接。
八角形真空室側(cè)表面其中六個面設置有長方形法蘭,在長方形法蘭上設置有孔,可根據(jù)需要配置裝有多弧陰極靶或磁控濺射靶的模板,裝拆便利,八角形真空室側(cè)表面的其余兩個面設置有觀察窗及抽氣孔;八角形真空室內(nèi)部設置有工件轉(zhuǎn)架和加熱器,八角形真空室內(nèi)底部中心處設置有輔助陽極。
多弧陰極靶為小圓形靶或柱形靶、長方形靶,磁控濺射靶為長方形靶或柱形靶。
工作時,在加熱階段,利用LaB6空心陰極電子槍和加熱器對工件加熱,在轟擊階段利用被LaB6空心陰極電子槍離化的Ar氣離子對工件進行離子清洗;多弧離子鍍膜階段,LaB6空心陰極電子槍與多弧陰極靶并用,通過被LaB6空心陰極電子槍離化的氣體對工件表面膜層不斷撞擊,細化鍍層表面大顆粒;磁控濺射鍍膜階段,LaB6空心陰極電子槍與磁控濺射靶并用,可提高靶材離化率。上、下集束線圈的作用是將電子槍發(fā)射的電子束聚焦到輔助陽極上,同時還可以起到磁攪拌作用,加速離子運動,提高離子撞擊力及撞擊幾率。
本實用新型改善了離子鍍鍍膜產(chǎn)品品質(zhì),提高了生產(chǎn)效率,具有較好的經(jīng)濟效益,利于推廣。
附圖說明
圖1是本實用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本實用新型的整體結(jié)構(gòu)俯視圖;
圖3是本實用新型的設備原理圖。
圖中1是LaB6空心陰極電子槍,2是八角形真空室,3是上集束線圈,4是下集束線圈,5是長方形法蘭,6是工件轉(zhuǎn)架,7是多弧陰極靶,8是磁控濺射靶,9是輔助陽極,10是抽氣口,11是高閥,12是分子泵,13是粗抽泵,14是維持泵。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖以最佳實施例對本實用新型做進一步詳細說明:
本實用新型由LaB6空心陰極電子槍(1)、八角形真空室(2)、上集束線圈(3)、下集束線圈(4)、輔助陽極(9)、長方形法蘭(5)、多弧陰極靶(7)、磁控濺射靶(8)、抽氣口(10)、高閥(11)、分子泵(12)、粗抽泵(13)和維持泵(14)構(gòu)成。LaB6空心陰極電子槍(1)設置在八角形真空室(2)上部中心處,上集束線圈(3)設置在八角形真空室(2)上部邊緣,下集束線圈(4)設置在八角形真空室(2)下部邊緣;八角形真空室(2)通過抽氣口(10)與高閥(11)相連接,高閥(11)底部與分子泵(12)連接,分子泵(12)前級與維持泵(14)連接,爐體底部與粗抽泵(13)連接。
八角形真空室(2)側(cè)表面其中六個面設置有長方形法蘭(5),在長方形法蘭(5)上設置有孔,可根據(jù)需要配置裝有多弧陰極靶(7)或磁控濺射靶(8)的模板,裝拆便利,八角形真空室(2)側(cè)表面的其余兩個面設置有觀察窗及抽氣孔;八角形真空室(2)內(nèi)部設置有工件轉(zhuǎn)架(6)和加熱器,八角形真空室(2)內(nèi)底部中心處設置有輔助陽極(9)。
多弧陰極靶(7)為小圓形靶或柱形靶、長方形靶,磁控濺射靶(8)為長方形靶或柱形靶。
工作時,在加熱階段,利用LaB6空心陰極電子槍(1)和加熱器對工件加熱,在轟擊階段利用被LaB6空心陰極電子槍(1)離化的Ar氣離子對工件進行離子清洗;多弧離子鍍膜階段,LaB6空心陰極電子槍(1)與多弧陰極靶(7)并用,通過被LaB6空心陰極電子槍(1)離化的氣體對工件表面膜層不斷撞擊,細化鍍層表面大顆粒;磁控濺射鍍膜階段,LaB6空心陰極電子槍(1)與磁控濺射靶(8)并用,可提高靶材離化率。上、下集束線圈(3、4)將電子束聚焦到輔助陽極(9)上,還可以起到磁攪拌作用,加速離子運動,提高離子撞擊力及撞擊幾率。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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