[實用新型]一種肖特基二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120285403.7
• 申請日: 2011-08-08
• 公開（公告）號: CN202189789U
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設計）人: 趙為濤;苗本秀;張錄周
• 申請（專利權(quán)）人: 山東沂光電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/872
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及半導體器件技術領域，特別是涉及一種二極管。

背景技術

肖特基二極管的正向壓降低、反向恢復時間短、開關速度快、噪聲系數(shù)小、串聯(lián)電阻小，被廣泛應用于微波混頻、檢波及高速開關電路等領域，現(xiàn)有的硅肖特基二極管，防靜電放電性能低下，容易因為耐靜電不夠而產(chǎn)生早期失效，從而使其應用場合受到了極大限制。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種低噪聲、低功耗、超高頻、具有優(yōu)良的正向和反向特性的肖特基二極管。

本實用新型包括硅襯底、硅外延層、二氧化硅、P＋環(huán)、金屬硅化物、阻擋金屬層、粘附金屬層和金屬電極層，所述硅襯底上生長有硅外延層，硅外延層上沉積有二氧化硅，硅襯底和硅外延層為N型半導體硅材料，在硅外延層中具有P＋環(huán)，P＋環(huán)與硅外延層形成一單邊突變PN結(jié)，與肖特基結(jié)并聯(lián)，金屬硅化物在二氧化硅的窗口內(nèi)，在二氧化硅的窗口上依次覆蓋阻擋金屬層、粘附金屬層和金屬電極層。

阻擋金屬層的厚度為7000～7200?；粘附金屬層的厚度為6800～7200?；金屬電極層的厚度為10000?。

阻擋金屬層是鈦鎢合金，粘附金屬層是鈦，金屬電極層是銀。

本實用新型由于采用以上結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術相比具有：低噪聲、低功耗、超高頻、具有優(yōu)良的正向和反向特性的優(yōu)點。

附圖說明

附圖為本實用新型一種肖特基二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1、硅襯底，2、硅外延層，3、二氧化硅，4、P＋環(huán)，5、金屬硅化物，6、阻擋金屬層，7、粘附金屬層，8、金屬電極層。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本實用新型作詳細說明：

如附圖所示，其包括硅襯底、硅外延層、二氧化硅、P＋環(huán)、金屬硅化物、阻擋金屬層、粘附金屬層和金屬電極層，硅襯底上生長有硅外延層，硅外延層上沉積有二氧化硅，硅襯底和硅外延層為N型半導體硅材料，在硅外延層中具有P＋環(huán)，P＋環(huán)與硅外延層形成一單邊突變PN結(jié)，與肖特基結(jié)并聯(lián)，金屬硅化物在二氧化硅的窗口內(nèi)，在二氧化硅的窗口上依次覆蓋阻擋金屬層、粘附金屬層和金屬電極層。

阻擋金屬層的厚度為7000?，粘附金屬層的厚度為7000?，金屬電極層的厚度為10000?。阻擋金屬層是鈦鎢合金，粘附金屬層是鈦，金屬電極層是銀。