[實(shí)用新型]一種肖特基二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201120285403.7 | 申請(qǐng)日： | 2011-08-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN202189789U | 公開（公告）日： | 2012-04-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙為濤;苗本秀;張錄周 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 山東沂光電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/06 | 分類號(hào)： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 276017 山東省臨*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 肖特基 二極管 | ||
1.一種肖特基二極管，包括硅襯底、硅外延層、二氧化硅、P＋環(huán)、金屬硅化物、阻擋金屬層、粘附金屬層和金屬電極層，其特征在于：所述硅襯底上生長(zhǎng)有硅外延層，硅外延層上沉積有二氧化硅，硅襯底和硅外延層為N型半導(dǎo)體硅材料，在硅外延層中具有P＋環(huán)，P＋環(huán)與硅外延層形成一單邊突變PN結(jié)與肖特基結(jié)并聯(lián)，金屬硅化物在二氧化硅的窗口內(nèi)，在二氧化硅的窗口上依次覆蓋阻擋金屬層、粘附金屬層和金屬電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于：所述阻擋金屬層的厚度為7000～7200?。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于：所述粘附金屬層的厚度為6800～7200?。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于：所述金屬電極層的厚度為10000?。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于：所述阻擋金屬層是鈦鎢合金，粘附金屬層是鈦，金屬電極層是銀。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
