[實用新型]石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座

有效

• 申請號: 201120277553.3
• 申請日: 2011-08-02
• 公開（公告）號: CN202218201U
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 沈俊男
• 申請（專利權）人: 臺晶（寧波）電子有限公司
• 主分類號: H03H9/05
• 分類號: H03H9/05
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 宋纓;孫健

技術領域

本實用新型涉及石英晶體諧振器技術領域，特別是涉及一種石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座。

背景技術

石英晶體諧振器業界目前都使用高溫陶瓷(HTCC)通過單一基座進行封裝的方式，隨著產量與材料成本要求未來趨勢勢必改為低溫陶瓷(LTCC)整板式平基板來增加進行積體化生產，其中最難克服的問題為如何在整板接導通的情況下對單一基座進行頻率調整制程。綜觀現有的低溫陶瓷(LTCC)整板式平基板設計(見圖1、圖2和圖3)，芯片座3和枕座4設置在低溫陶瓷基座1上，通過灌孔5內壁立體圓壁面披覆導通的方式來解決電鍍或化學鍍銀/銅層導線2，但此法仍因各個單一基座互相導通導致無法在整板狀況下進行頻率調整，而必須在切割成為單一基座后才能克服，故無法實現積體化生產構想。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，滿足石英晶體諧振器積體化生產需求。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：提供一種石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，包括低溫陶瓷基座、銀/銅層導線、芯片座、枕座和灌孔；所述低溫陶瓷基座由至少兩個單一基座組成，所述單一基座上設有石英芯片區域，所述的銀/銅層導線、芯片座、枕座均在所述低溫陶瓷基座上方；所述單一基座的左右兩側均設有凹陷；所述兩個單一基座組合后，左右兩側的凹陷形成所述灌孔；所述灌孔為低溫陶瓷平基板基座在未切割前用于連接單一基座作為電鍍或化學鍍的導通線路；所述芯片座設置在石英芯片區域的一端，所述枕座設置在石英芯片區域的另一端；所述灌孔與所述芯片座通過所述銀/銅層導線相連；所述銀/銅層導線在單一基座周圍以單面形式進行導通。

所述銀/銅層導線為在銀層導線上通過電鍍或化學鍍方式披覆銅層導線。

所述單一基座上設有兩個芯片座，其中，一個芯片座通過銀/銅層導線與位于單一基座左側的灌孔相連，另一個芯片座通過銀/銅層導線與位于單一基座右側的灌孔相連。

所述的低溫陶瓷基座采用LTCC低溫陶瓷制成。

所述的銀/銅層導線在預切割后，單一基座間將互不導通。

有益效果

由于采用了上述的技術方案，本實用新型與現有技術相比，具有以下的優點和積極效果：本實用新型通過改變灌孔位置，并利用單一基座周圍單面導通方式改善了整板無法頻率調整的問題，從而滿足石英晶體諧振器積體化生產需求。

附圖說明

圖1是現有技術中低溫陶瓷整板式平基板中單一基座內部結構俯視圖；

圖2是現有技術中低溫陶瓷整板式平基板中單一基座內部結構前視圖；

圖3是現有技術中低溫陶瓷整板式平基板內部結構俯視圖；

圖4是本實用新型的低溫陶瓷整板式平基板中單一基座內部結構俯視圖；

圖5是本實用新型的低溫陶瓷整板式平基板中單一基座內部結構前視圖；

圖6是本實用新型的低溫陶瓷整板式平基板內部結構俯視圖；

圖7是本實用新型的低溫陶瓷整板式平基板經預切割后的內部結構俯視圖。

具體實施方式

下面結合具體實施例，進一步闡述本實用新型。應理解，這些實施例僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍。此外應理解，在閱讀了本實用新型講授的內容之后，本領域技術人員可以對本實用新型作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。

本實用新型的實施方式涉及一種石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，如圖5所示，包括低溫陶瓷基座1、銀/銅層導線2、芯片座3、枕座4和灌孔5；所述低溫陶瓷基座1由至少兩個單一基座組成，如圖3和圖4所示，所述單一基座上設有石英芯片區域。所述的銀/銅層導線2、芯片座3、枕座4均在所述低溫陶瓷基座1上方。所述單一基座的左右兩側均設有凹陷，所述兩個單一基座組合后，左右兩側的凹陷形成所述灌孔5。所述灌孔5為低溫陶瓷平基板基座1在未切割前用于連接單一基座作為電鍍或化學鍍的導通線路。所述芯片座3設置在石英芯片區域的一端，所述枕座4設置在石英芯片區域的另一端，所述灌孔5與所述芯片座3通過所述銀/銅層導線相連。如圖3、圖4和圖5所示，單一基座上設有兩個芯片座3，其中，一個芯片座3通過銀/銅層導線2與位于單一基座左側的灌孔5相連，另一個芯片座3通過銀/銅層導線2與位于單一基座右側的灌孔5相連，所述銀/銅層導線2在單一基座周圍以單面形式進行導通。其中，低溫陶瓷基座1采用LTCC低溫陶瓷制成。

如圖7所示，銀/銅層導線2在預切割后，單一基座間將互不導通。單一基座的體積不大于2.04*1.64*0.25mm。不難發現，本實用新型通過改變灌孔位置，并利用單一基座周圍單面導通的方式改善了整板無法頻率調整的問題，從而滿足石英晶體諧振器積體化生產需求。