[實(shí)用新型]石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201120277553.3
• 申請(qǐng)日: 2011-08-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202218201U
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈俊男
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)晶（寧波）電子有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/05
• 分類號(hào): H03H9/05
• 代理公司: 上海泰能知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31233
• 代理人: 宋纓;孫健

1.一種石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，包括低溫陶瓷基座(1)、銀/銅層導(dǎo)線(2)、芯片座(3)、枕座(4)和灌孔(5)；所述低溫陶瓷基座(1)由至少兩個(gè)單一基座組成，所述單一基座上設(shè)有石英芯片區(qū)域，其特征在于，所述的銀/銅層導(dǎo)線(2)、芯片座(3)、枕座(4)均在所述低溫陶瓷基座(1)上方；所述單一基座的左右兩側(cè)均設(shè)有凹陷；所述兩個(gè)單一基座組合后，左右兩側(cè)的凹陷形成所述灌孔(5)；所述灌孔(5)用于在低溫陶瓷基座(1)未切割前連接單一基座作為電鍍或化學(xué)鍍的導(dǎo)通線路；所述芯片座(3)設(shè)置在石英芯片區(qū)域的一端，所述枕座(4)設(shè)置在石英芯片區(qū)域的另一端；所述灌孔(5)與所述芯片座(3)通過(guò)所述銀/銅層導(dǎo)線(2)相連；所述銀/銅層導(dǎo)線(2)在單一基座周圍以單面形式進(jìn)行導(dǎo)通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，其特征在于，所述銀/銅層導(dǎo)線(2)為在銀層導(dǎo)線上通過(guò)電鍍或化學(xué)鍍方式披覆銅層導(dǎo)線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，其特征在于，所述單一基座上設(shè)有兩個(gè)芯片座(3)，其中，一個(gè)芯片座(3)通過(guò)銀/銅層導(dǎo)線(2)與位于單一基座左側(cè)的灌孔(5)相連，另一個(gè)芯片座(3)通過(guò)銀/銅層導(dǎo)線(2)與位于單一基座右側(cè)的灌孔(5)相連。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，其特征在于，所述的低溫陶瓷基座(1)采用LTCC低溫陶瓷制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石英晶體諧振器用的低溫陶瓷整板式平基板基座，其特征在于，所述的銀/銅層導(dǎo)線(2)在預(yù)切割后，單一基座間將互不導(dǎo)通。