[實(shí)用新型]促進(jìn)腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120272942.7
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號: CN202167465U
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊鐵牛;黃尊地;侯曙光;李昌明;黃輝;張祈莉;李鶴喜
• 申請（專利權(quán)）人: 五邑大學(xué)
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 方振昌

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種集成電路（IC）裝備，特別是一種促進(jìn)腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結(jié)構(gòu)，特別涉及采用PECVD法制備各種微電子和光電子領(lǐng)域薄膜類材料的設(shè)備。?

背景技術(shù)

?薄膜制備是集成電路(IC)芯片生產(chǎn)中主要工藝過程之一。等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備被廣泛應(yīng)用于生長鈍化與多層布線等半導(dǎo)體工藝中，具有沉積溫度低、薄膜成分與厚度易控、膜厚與沉積時間成正比、均勻性與重復(fù)性好、臺階覆蓋優(yōu)良、操作簡便等眾多優(yōu)點(diǎn)，是IC制造工藝中制備鈍化層與多層布線介質(zhì)層(以Si3N4與SiO2薄膜為主)最理想的設(shè)備。?

?在PECVD工藝中需要不斷往反應(yīng)腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體以生成所需薄膜，反應(yīng)氣體的均勻性是影響薄膜質(zhì)量的重要因素，現(xiàn)有PECVD設(shè)備主要通過在腔室進(jìn)氣前設(shè)置勻氣盤結(jié)構(gòu)來提高反應(yīng)氣體的均勻性，現(xiàn)有的勻氣盤結(jié)構(gòu)還未完全解決反應(yīng)氣體的均勻性的問題。?

因此，需要對現(xiàn)有勻氣盤結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，從而提高反應(yīng)氣體的均勻性，保證沉積的薄膜的質(zhì)量。?

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供改進(jìn)的促進(jìn)腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)PECVD設(shè)備氣流流入更均勻，從而保證沉積的薄膜的質(zhì)量。?

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的促進(jìn)腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結(jié)構(gòu)，包括勻氣罐，所述勻氣罐為圓盤形開口的空腔結(jié)構(gòu)，所述勻氣罐上端中心位置設(shè)有進(jìn)氣口，勻氣罐的空腔內(nèi)設(shè)有上勻氣盤，所述勻氣罐的下端開口安裝有下勻氣盤，所述上勻氣盤為弧形結(jié)構(gòu)，其中凹弧面與進(jìn)氣口相對，所述下勻氣盤上均勻分布有小孔，小孔按所在軸向位置不同而直徑不同。?

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述上勻氣盤通過兩個以上、可調(diào)整勻氣盤位置的螺栓連接于勻氣罐。?

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述上勻氣盤上均勻分布有2～5圈孔徑漸變的氣孔。所述下勻氣盤通過螺釘連接于勻氣罐的下端。所述小孔兩端為相對的錐形孔，兩個錐形孔頂端相連通。?

本實(shí)用新型的有益效果是：這種促進(jìn)腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結(jié)構(gòu)采用兩級勻氣方式，上勻氣盤保證進(jìn)氣的氣流初步均勻化，下勻氣盤進(jìn)一步均勻化氣流，使得氣流更均勻的分布在反應(yīng)室中。上勻氣盤采用弧形結(jié)構(gòu)，凹弧面與進(jìn)氣口相對。因?yàn)閷τ诓捎弥虚g勻氣的方式時，中間的氣流沖擊速度和氣流密度要遠(yuǎn)大于四周的氣流密度，所以為了使得氣流能在更大范圍內(nèi)保證均勻性，采用漸變孔來補(bǔ)償氣流的值；進(jìn)氣口和上勻氣盤之間的距離要可以調(diào)節(jié)，當(dāng)沉積不同種類薄膜的時候，氣流速度的要求往往不同，為了保證薄膜的均勻性，氣體出口和勻氣盤之間的距離要可以調(diào)節(jié)，下勻氣盤上均布小孔，該均布的小孔按所在軸向位置改變直徑，使得氣流流量均勻性誤差進(jìn)一步弱化，實(shí)現(xiàn)氣流的均勻性分布，保證了所沉積薄膜的質(zhì)量。?

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。?

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；?

圖2是圖1中A處結(jié)構(gòu)放大圖。

具體實(shí)施方式

參照圖1、圖2，本實(shí)用新型的促進(jìn)腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結(jié)構(gòu)，包括勻氣罐1，所述勻氣罐1為圓盤形開口的空腔結(jié)構(gòu)，所述勻氣罐1上端中心位置設(shè)有進(jìn)氣口6，勻氣罐1的空腔內(nèi)設(shè)有上勻氣盤2，所述勻氣罐1的下端開口安裝有下勻氣盤3，所述上勻氣盤2為弧形結(jié)構(gòu)，其中凹弧面與進(jìn)氣口6相對，所述下勻氣盤3上均勻分布有小孔7，小孔7按所在軸向位置不同而直徑不同。這種促進(jìn)腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結(jié)構(gòu)采用兩級勻氣方式，上勻氣盤保證進(jìn)氣的氣流初步均勻化，下勻氣盤進(jìn)一步均勻化氣流，使得氣流更均勻的分布在反應(yīng)室中。上勻氣盤采用弧形結(jié)構(gòu)，凹弧面與進(jìn)氣口相對，下勻氣盤上均布小孔，該均布的小孔按所在軸向位置改變直徑，使得氣流流量均勻性誤差進(jìn)一步弱化，實(shí)現(xiàn)氣流的均勻性分布，保證了所沉積薄膜的質(zhì)量。?

進(jìn)氣口和上勻氣盤之間的距離要可以調(diào)節(jié)，當(dāng)沉積不同種類薄膜的時候，氣流速度的要求往往不同，為了保證薄膜的均勻性，氣體出口和勻氣盤之間的距離要可以調(diào)節(jié)，這在結(jié)構(gòu)上也很好實(shí)現(xiàn)。在本實(shí)施例中，所述上勻氣盤2通過兩個以上、可調(diào)整上勻氣盤2位置的螺栓4連接于勻氣罐1。?

所述上勻氣盤2上均勻分布有2～5圈孔徑漸變的氣孔8，因?yàn)閷τ诓捎弥虚g勻氣的方式時，中間的氣流沖擊速度和氣流密度要遠(yuǎn)大于四周的氣流密度，所以為了使得氣流能在更大范圍內(nèi)保證均勻性，采用漸變孔來補(bǔ)償氣流的值。?

為了使氣流得到進(jìn)一步緩沖，所述下勻氣盤3通過螺釘5連接于勻氣罐1的下端，便于結(jié)構(gòu)的組裝。所述小孔7兩端為相對的錐形孔，兩個錐形孔頂端相連通。?

以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)先實(shí)施方式，只要以基本相同手段實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的的技術(shù)方案都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。?