[實用新型]促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構有效
| 申請號: | 201120272942.7 | 申請日: | 2011-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN202167465U | 公開(公告)日: | 2012-03-14 |
| 發明(設計)人: | 楊鐵牛;黃尊地;侯曙光;李昌明;黃輝;張祈莉;李鶴喜 | 申請(專利權)人: | 五邑大學 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 方振昌 |
| 地址: | 529020 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 促進 氣流 均勻 組合式 結構 | ||
1.促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構,包括勻氣罐(1),其特征在于所述勻氣罐(1)為圓盤形開口的空腔結構,所述勻氣罐(1)上端中心位置設有進氣口(6),勻氣罐(1)的空腔內設有上勻氣盤(2),所述勻氣罐(1)的下端開口安裝有下勻氣盤(3),所述上勻氣盤(2)為弧形結構,其中凹弧面與進氣口(6)相對,所述下勻氣盤(3)上均勻分布有小孔(7),小孔(7)按所在軸向位置不同而直徑不同。
2.根據權利要求1所述的促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構,其特征在于所述上勻氣盤(2)通過兩個以上、可調整勻氣盤(2)位置的螺栓(4)連接于勻氣罐(1)。
3.根據權利要求1或2所述的促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構,其特征在于所述上勻氣盤(2)上均勻分布有2~5圈孔徑漸變的氣孔(8)。
4.根據權利要求1所述的促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構,其特征在于所述下勻氣盤(3)通過螺釘(5)連接于勻氣罐(1)的下端。
5.根據權利要求1所述的促進腔室氣流均勻的雙級組合式勻氣結構,其特征在于所述小孔(7)兩端為相對的錐形孔,兩個錐形孔頂端相連通。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





