[實用新型]一種半導體封裝用引線框架

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120271063.2
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號: CN202189780U
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設計）人: 曹周;席伍霞;陶少勇
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 雷利平

技術領域

本實用新型涉及半導體封裝技術領域，特別是涉及一種半導體封裝用引線框架。

背景技術

現有技術中,使用業(yè)內的TO-263-3L(D2pak)引線框架焊接尺寸較大的MOSFET芯片時，通常出現引線框架的頭部和下方角部焊錫溢出V型凹槽（V-Groove）外緣，易造成產品分層，導致產品可靠性失效。

因此，為解決上述問題，亟需提供一種能夠避免焊錫溢出的半導體封裝用引線框架的技術尤為重要。

發(fā)明內容

本實用新型的目的在于避免現有技術中的不足之處而提供一種能夠避免焊錫溢出的半導體封裝用引線框架。

本實用新型的目的通過以下技術方案實現：

提供一種半導體封裝用引線框架，包括有框架本體，所述框架本體上設置有載片臺以及與所述載片臺連接的引腳，其中，所述載片臺的四周開設有V型凹槽，位于所述載片臺上部的V型凹槽與位于所述載片臺下部的V型凹槽之間的距離大于0.192英寸。

其中，位于所述載片臺上部的V型凹槽與位于所述載片臺下部的V型凹槽之間的距離大于0.195英寸。

其中，位于所述載片臺上部的V型凹槽與位于所述載片臺下部的V型凹槽之間的距離為0.196英寸。

其中，位于所述載片臺上部的V型凹槽與位于所述載片臺下部的V型凹槽之間的距離為0.197英寸。

其中，所述V型凹槽的槽寬為0.006英寸。

本實用新型的有益效果：

本實用新型的一種半導體封裝用引線框架，包括有框架本體，框架本體上設置有載片臺以及與載片臺連接的引腳，其中，載片臺的四周開設有V型凹槽，位于所述載片臺上部的V型凹槽與位于所述載片臺下部的V型凹槽之間的距離大于0.192英寸。與現有技術相比，將TO-263-3L(D2pak)引線框架載片臺下方的V型凹槽下移5mil以增大焊片面積，使得引線框架焊片面積由原來的5.003?mm?×8.77mm，變更為5.13mm×8.77mm，解決了焊錫溢出V型凹槽的問題，同時還提高了作業(yè)效率。

附圖說明

利用附圖對實用新型作進一步說明，但附圖中的實施例不構成對本實用新型的任何限制，對于本領域的普通技術人員，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據以下附圖獲得其它的附圖。

圖1是本實用新型的一種半導體封裝用引線框架的結構示意圖。

圖2是本實用新型的一種半導體封裝用引線框架的另一視角的結構示意圖。

在圖1和圖2中包括有：

1——框架本體、

2——載片臺、

3——V型凹槽、

4——引腳、

B——距離。

具體實施方式

結合以下實施例對本實用新型作進一步描述。

實施例1。

本實用新型的一種半導體封裝用引線框架的具體實施方式之一，如圖1和圖2所示，包括有框架本體1，所述框架本體1上設置有載片臺2以及與所述載片臺2連接的引腳4，其中，所述載片臺2的四周開設有V型凹槽3，位于所述載片臺2上部的V型凹槽3與位于所述載片臺2下部的V型凹槽3之間的距離B大于0.192英寸。與現有技術相比，將TO-263-3L(D2pak)引線框架載片臺2下方的V型凹槽3下移5mil以增大焊片面積，使得引線框架焊片面積由原來的5.003?mm?×8.77mm，變更為5.13mm×8.77mm，解決了焊錫溢出V型凹槽3的問題，同時還提高了作業(yè)效率。

具體的，位于所述載片臺2上部的V型凹槽3與位于所述載片臺2下部的V型凹槽3之間的距離B為0.197英寸。

具體的，所述V型凹槽3的槽寬為0.006英寸。

由于本實用新型的一種半導體封裝用引線框架的V型凹槽3下移5mil后，能夠使焊片區(qū)域Ｙ方向增大為202mil，因此可以使該引線框架使用于4.4mm×7.0mm的芯片。

實施例2。

本實用新型的一種半導體封裝用引線框架的具體實施方式之二，本實施例的主要技術方案與實施例1相同，在本實施例中未解釋的特征，采用實施例1中的解釋，在此不再進行贅述。本實施例與實施例1的區(qū)別在于，位于所述載片臺2上部的V型凹槽3與位于所述載片臺2下部的V型凹槽3之間的距離B大于0.195英寸。

實施例3。