[實用新型]一種硅片傳送機械手有效
| 申請號: | 201120263163.0 | 申請日: | 2011-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN202259223U | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發明(設計)人: | 沈彪;李向清;胡德良 | 申請(專利權)人: | 江陰市愛多光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;B25J15/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214423 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 傳送 機械手 | ||
1.一種硅片傳送機械手,所述機械手用于接觸并傳送硅片,其特征在于,所述機械手包括:承載盤,在所述承載盤上設有內環,所述承載盤在所述內環中至少設有一個通孔,在所述通孔上設有墊片,在所述墊片上設有突出于所述內環第一表面的第一突出部,所述第一突出部與所述硅片接觸,所述硅片與所述內環第一表面間設有間隙,在所述墊片上還設有第二突出部,所述第二突出部與所述的通孔相配合,所述墊片固定在所述內環中;所述承載盤還與驅動裝置連接。
2.如權利要求1所述的硅片傳送機械手,其特征在于,所述墊片的第一突出部的頂面呈弧狀,并朝所述硅片方向突出;所述墊片的第二突出部的底面呈弧狀,并與第一突出部突出的方向相反。
3.如權利要求2所述的硅片傳送機械手,其特征在于,所述第一突出部的頂面包含一平面,所述平面位于該第一突出部的頂面的最頂端,所述平面用于接觸所述硅片的背面,且該平面的面積介于1.72mm2至2.25mm2之間。
4.如權利要求2所述的硅片傳送機械手,其特征在于,在所述內環上設有缺口,在所述缺口的壁面還突設有一凸肋,所述缺口形成有第一凹槽、第二凹槽及一連通槽,其中所述連通槽的位置對應所述凸肋的位置,且連通于所述第一凹槽及所述第二凹槽之間,并且所述墊片的所述第二突出部突設于所述凸肋的底面,所述第二突出部卡于所述凸肋,且所述墊片還包含:第一埋藏部,連接所述第一突出部并位于所述第一凹槽內;及第二埋藏部,連接所述第一埋藏部與所述第二突出部并位于所述連通槽內。
5.如權利要求4所述的硅片傳送機械手,其特征在于,所述第二突出部位于所述第二凹槽內,且不突出于所述內環相對于所述第一表面的第二表面。
6.如權利要求5所述的硅片傳送機械手,其特征在于,所述第一?突出部的底面呈一平面并連接所述第一埋藏部的頂面,所述第一突出部的底面面積大于所述第一埋藏部的頂面面積,而形成自所述第一埋藏部的頂面的側邊向外突出的第一側翼部;所述第二突出部的頂面呈一平面并連接所述第二埋藏部的底面,且所述第二突出部的頂面面積大于所述第二埋藏部的底面面積,而形成自所述第二埋藏部的底面的側邊向外突出的第二側翼部;所述第一埋藏部的底面連接于所述第二埋藏部的頂面。
7.如權利要求6所述的硅片傳送機械手,其特征在于,所述第一埋藏部的底面面積大于所述第二埋藏部的頂面面積。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





