[實用新型]TFT陣列基板以及液晶顯示面板有效
| 申請號: | 201120255786.3 | 申請日: | 2011-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN202145253U | 公開(公告)日: | 2012-02-15 |
| 發明(設計)人: | 魏山山;張世曉 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1339;H01L27/12 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201201 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tft 陣列 以及 液晶顯示 面板 | ||
技術領域
本實用新型涉及液晶顯示技術領域,特別是涉及一種TFT陣列基板以及液晶顯示面板。?
背景技術
液晶顯示面板由TFT陣列基板和彩膜基板對盒并在兩基板間注入液晶形成,在液晶面板的制造過程中,為了保持TFT陣列基板和彩膜基板之間的盒厚(Cell?Gap)一致,主要的解決方法是在兩個基板對盒之前在兩基板之間加入一定厚度的隔墊物(Spacer)以保持盒厚。?
目前常用的隔墊物主要包括兩類:球形隔墊物(Ball?Spacer,簡稱BS)和柱形隔墊物(Photo?Spacer,簡稱PS,也叫做支撐柱)。對于采用球形隔墊物的液晶顯示面板來說,是通過噴灑方式將BS散布在TFT陣列基板或者彩膜基板上,在對盒過程中利用BS尺寸的一致性來保持盒厚一致,但是利用噴灑的方法會將BS噴灑于像素區域,導致BS周圍液晶取向較差而產生漏光,引起對比度下降。而當利用PS制造液晶顯示面板時,PS設置在彩膜基板的黑矩陣(Black?Matrix,簡稱BM)處,精確的控制PS在每個像素上的位置,更加有效的防止了BS可能導致的像素區域漏光,從而達到控制盒厚和提高對比度的效果。?
通常來說,支撐柱包括主支撐柱(Main?Photo?Spacer,簡稱Main?PS)和輔支撐柱(Sub?Photo?Spacer,簡稱Sub?PS),所述主支撐柱是在液晶顯示面板內起決定間隙的支撐柱,所述輔支撐柱對液晶顯示面板的間隙不能起到決定性作用,僅在液晶顯示面板受到外力時起到提高彈力的作用。一般采用以下兩種方式設計主支撐柱和輔支撐柱:一種是直接在彩膜基板一側制作高度不同的PS,在TFT?陣列基板一側制作等高度的PS襯墊來實現;另一種則是在彩膜基板一側制作等高度的PS,在TFT陣列基板一側制作高度不同的PS襯墊(將較高的PS襯墊稱為主支撐柱襯墊,較低的PS襯墊稱為輔支撐柱襯墊),以等效實現主支撐柱和輔支撐柱之分,保證液晶顯示面板具有一定的彈性。?
現有的TFT陣列基板通常包括:具有TFT陣列的基板以及至少一個支撐柱襯墊,所述支撐柱襯墊形成于基板上,所述支撐柱襯墊不用于構成存儲電容。?
具體的,請參考圖1至圖6,現有的一種TFT陣列基板10包括:?
具有TFT陣列的基板100;?
形成于所述基板100上的掃描線101和公共電極102(具體如圖7所示);?
與所述掃描線101相交的數據線104;?
所述掃描線101和數據線104限定的像素區域內形成有TFT,其中,所述TFT包括:與所述掃描線101電連接的柵極101a(由于掃描線101與柵極101a通常在同一個工藝步驟中形成,因此二者位于同一層,并可以做成一體的),依次形成于所述柵極101a上的柵絕緣層105、半導體層106和源/漏金屬層103(通常形成TFT的源極的金屬與形成漏極的金屬在同一個工藝步驟中形成,因此二者位于同一層,統稱為源/漏金屬層),所述TFT的源極(或漏極)104a與所述數據線104電連接(由于TFT的源極104a與數據線104通常在同一個工藝步驟中形成,因此二者位于同一層,并可以做成一體的);以及?
通過過孔107與所述TFT的漏極(或源極)103a電連接的像素電極108;?
重點參考圖5和圖6,所述TFT陣列基板10包括主支撐柱襯墊109和輔支撐柱襯墊110,所述主支撐柱襯墊109由柵絕緣層105以及位于柵絕緣層105上的襯墊層111、源/漏金屬層103和鈍化層113共同構成(或者還包括位于襯墊層111和源/漏金屬層103之間的歐姆接觸層112),所述輔支撐柱襯墊110則由柵絕緣層105以及位于柵絕緣層105上的襯墊層111和鈍化層113共同構成。因此,所述輔支撐柱襯墊110的高度小于主支撐柱襯墊109的高度,從而在TFT陣列基板10上形成了高度不同的支撐柱襯墊。?
然而,由上述描述可知,現有的TFT陣列基板10具有以下缺點:?
首先,所述TFT陣列基板10的存儲電容僅是由公共電極102、位于公共電極102上方的柵絕緣層和源/漏金屬層共同構成,而所述主支撐柱襯墊109和輔支撐柱襯墊110均不用于形成存儲電容,無法有效的利用現有的基板面積形成足夠大的存儲電容;
其次,由于在現有的TFT陣列基板10中,所述主支撐柱襯墊109和輔支撐柱襯墊110的四周均有漏光狹縫,并且所述公共電極102本身是不透光的,因此,這些區域均需被黑矩陣遮蓋,這就導致需要在彩膜基板上設置較大面積的黑矩陣(如圖8和圖9中虛線所示),才能保證不發生漏光,影響了液晶顯示面板的開口率。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海天馬微電子有限公司,未經上海天馬微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201120255786.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種筆記本電腦的觸摸板鼠標
- 下一篇:煙探測控制系統





