[實(shí)用新型]TFT陣列基板以及液晶顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120255786.3
• 申請日: 2011-07-19
• 公開（公告）號: CN202145253U
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魏山山;張世曉
• 申請（專利權(quán)）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1339;H01L27/12
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種TFT陣列基板，包括：

基板，具有TFT陣列；以及

至少一個支撐柱襯墊，形成于所述基板上；

其特征在于，所述支撐柱襯墊包括存儲電容。

2.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括：

形成于所述基板上的掃描線和公共電極；

與所述掃描線相交的數(shù)據(jù)線；

所述掃描線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有TFT，所述TFT包括：與所述掃描線電連接的柵極，依次形成于所述柵極上的柵絕緣層、半導(dǎo)體層和源/漏金屬層，所述TFT的源極與所述數(shù)據(jù)線電連接；以及

通過過孔與所述TFT的漏極電連接的像素電極。

3.如權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括形成于所述半導(dǎo)體層與所述源/漏金屬層之間的歐姆接觸層。

4.如權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述公共電極為所述存儲電容的下極板，所述源/漏金屬層為所述存儲電容的上極板。

5.如權(quán)利要求4所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述存儲電容的介質(zhì)層為所述柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、歐姆接觸層中的一種或其組合。

6.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括形成于所述像素電極、源極、漏極、數(shù)據(jù)線和所述柵絕緣層上的鈍化層。

7.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，包括至少一個主支撐柱襯墊和至少一個輔支撐柱襯墊，所述主支撐柱襯墊的高度大于輔支撐柱襯墊的高度。

8.如權(quán)利要求7所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述主支撐柱襯墊和所述輔支撐柱襯墊所包括的存儲電容大小相同。

9.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述支撐柱襯墊之外的區(qū)域上還具有存儲電容。

10.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括：

如權(quán)利要求1至9中任意一項所述的TFT陣列基板；

與所述TFT陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板，所述彩膜基板面向所述TFT陣列基板的一面上形成有黑矩陣層和色素層，在所述黑矩陣層對應(yīng)于所述支撐柱襯墊的位置處形成有支撐柱；以及

設(shè)置于所述TFT陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。