[實用新型]一種頂閘極型晶體管數組基板

有效

• 申請號: 201120249000.7
• 申請日: 2011-07-15
• 公開（公告）號: CN202189786U
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 鄭晃忠;黃昱智;楊柏宇;姜信銓;李懷安
• 申請（專利權）人: 深圳華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

技術領域

本實用新型是有關于一種晶體管數組基板，且特別是有關于一種頂閘極型晶體管數組基板(top-gate?type?transistor?array?substrate)。

背景技術

目前已出現一種具有金氧半導體層(Metal?Oxide?Semiconductor?Layer，MOS?Layer)的液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display，LCD)。這種液晶顯示器所具有的薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，TFT)，其主動層(active?layer)是由金氧半導體所制成。當這種液晶顯示器運作時，正電壓會施加到薄膜晶體管的閘極(gate)，以使閘極會產生電場(electric?filed)。

半導體層內的多個氧離子(oxide?ion，化學式為O^2-)因受到上述電場的驅使而朝向閘極移動。當這些氧離子朝向閘極移動時，會造成金氧半導體層內發生氧空缺的現象。也就是說，金氧半導體層內會出現缺乏氧離子的區域。一旦過多的氧離子移向閘極的話，則金氧半導體層的電阻值會發生改變，從而影響液晶顯示器的運作，導致液晶顯示器的可靠性(reliability)下降。

實用新型內容

本實用新型提供一種頂閘極型晶體管數組基板，其所具有的離子釋出層能抑制發生上述氧空缺的現象。

本實用新型提出一種頂閘極型晶體管數組基板，其包括一透明基板、一離子釋出層、一像素數組以及一第一絕緣層。透明基板具有一平面，而離子釋出層設置于透明基板上，并全面性地覆蓋平面。像素數組設置于離子釋出層上，并包括多個晶體管與多個像素電極。各個晶體管包括一源極、一汲極、一閘極以及一金氧半導體層。汲極、源極與金氧半導體層皆設置于離子釋出層上，而這些像素電極分別電性連接這些汲極。金氧半導體層接觸離子釋出層、源極與汲極，并局部覆蓋源極與汲極。離子釋出層適于釋出多個離子至金氧半導體層中。閘極設置于金氧半導體層的上方。第一絕緣層設置于這些金氧半導體層與這些閘極之間，并覆蓋這些金氧半導體層、這些源極以及這些汲極。

上述離子釋出層為一二氧化鈦層。

上述二氧化鈦層為一非晶二氧化鈦層或一多晶二氧化鈦層。

上述離子釋出層為一陶瓷層。

上述金氧半導體層為一銦鎵鋅氧化物層或一銦錫鋅氧化物層。

上述頂閘極型晶體管數組基板還包括一第二絕緣層。第二絕緣層設置于第一絕緣層上，并覆蓋這些晶體管，其中這些像素電極設置于第二絕緣層上。

上述像素數組還包括多條數據線。這些數據線設置于第二絕緣層上，并分別電性連接這些源極。

上述像素數組還包括多個第一導電柱與多個第二導電柱。這些第一導電柱與這些第二導電柱皆設置于第二絕緣層內，其中這些第一導電柱連接于這些像素電極與這些汲極之間，而這些第二導電柱連接于這些數據線與這些源極之間。

基于上述，由于金氧半導體層接觸離子釋出層，因此離子釋出層能釋出多個離子至金氧半導體層中，從而抑制金氧半導體層內發生氧空缺的現象。如此，能避免金氧半導體層的電阻值發生改變，進而提升液晶顯示器的可靠性。

附圖說明

圖1是本實用新型一實施例的頂閘極型晶體管數組基板的剖面示意圖。

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

圖1是本實用新型一實施例的頂閘極型晶體管數組基板的剖面示意圖。請參閱圖1，本實施例的頂閘極型晶體管數組基板100包括一透明基板110、一離子釋出層120以及一像素數組130。透明基板110具有一平面112，而離子釋出層120設置于透明基板110上，并全面性地覆蓋平面112。

像素數組130設置于離子釋出層120上，并且包括多個晶體管132以及多個像素電極134，其中這些像素電極134分別電性連接這些晶體管132。這些像素電極134可以皆為透明導電膜，而像素電極134的材質例如是銦錫氧化物(Indium?Tin?Oxide?layer，ITO)或銦鋅氧化物(Indium?Zinc?Oxide?layer，IZO)。