[實用新型]一種頂閘極型晶體管數組基板

有效

• 申請號: 201120249000.7
• 申請日: 2011-07-15
• 公開（公告）號: CN202189786U
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 鄭晃忠;黃昱智;楊柏宇;姜信銓;李懷安
• 申請（專利權）人: 深圳華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種頂閘極型晶體管數組基板，其特征在于，所述頂閘極型晶體管數組基板包括：

一透明基板，具有一平面；

一離子釋出層，設置于所述透明基板上，并全面性地覆蓋所述平面；

一像素數組，設置于所述離子釋出層上，并包括多個晶體管與多個像素電極，各所述晶體管包括：

一源極，設置于所述離子釋出層上；

一汲極，設置于所述離子釋出層上，所述像素電極分別電性連接所述汲極；

一金氧半導體層，設置于所述離子釋出層上，并接觸所述離子釋出層、所述源極與所述汲極，所述金氧半導體層局部覆蓋所述源極與所述汲極，所述離子釋出層適于釋出多個離子至所述金氧半導體層中；

一閘極，設置于所述金氧半導體層的上方；以及

一第一絕緣層，設置于所述金氧半導體層與所述閘極之間，并覆蓋所述金氧半導體層、所述源極以及所述汲極。

2.如權利要求1所述的頂閘極型晶體管數組基板，其特征在于，所述離子釋出層為一二氧化鈦層。

3.如權利要求2所述的頂閘極型晶體管數組基板，其特征在于，所述二氧化鈦層為一非晶二氧化鈦層或一多晶二氧化鈦層。

4.如權利要求1所述的頂閘極型晶體管數組基板，其特征在于，所述離子釋出層為一陶瓷層。

5.如權利要求1所述的頂閘極型晶體管數組基板，其特征在于，所述金氧半導體層為一銦鎵鋅氧化物層或一銦錫鋅氧化物層。

6.如權利要求1所述的頂閘極型晶體管數組基板，其特征在于，所述頂閘極型晶體管數組基板還包括一第二絕緣層，所述第二絕緣層設置于所述第一絕緣層上，并覆蓋所述晶體管，所述像素電極設置于所述第二絕緣層上。

7.如權利要求6所述的頂閘極型晶體管數組基板，其特征在于，所述像素數組還包括多條數據線，所述數據線設置于所述第二絕緣層上，并分別電性連接所述源極。

8.如權利要求7所述的頂閘極型晶體管數組基板，其特征在于，所述像素數組還包括：

多個第一導電柱，設置于所述第二絕緣層內，并連接于所述像素電極與所述汲極之間；以及

多個第二導電柱，設置于所述第二絕緣層內，并連接于所述數據線與所述源極之間。