[實(shí)用新型]一種TFT移位寄存器版圖的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120247341.0 | 申請日: | 2011-07-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202221760U | 公開(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫鵬飛;郭海成;凌代年;邱成峰;賈洪亮;蒲衛(wèi)國;黃飚 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東中顯科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/02 | 分類號(hào): | H01L27/02;G11C19/28 |
| 代理公司: | 北京瑞恒信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11382 | 代理人: | 曹津燕 |
| 地址: | 528225 廣東省佛*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 tft 移位寄存器 版圖 拓?fù)?/a> 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種TFT移位寄存器版圖的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),在該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,誘導(dǎo)孔的方向垂直于晶體管的溝道方向;該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括多個(gè)溝道寬度相同且溝道長度相同的晶體管;多個(gè)所述晶體管級(jí)聯(lián)以等效于一個(gè)大尺寸晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其中所述級(jí)聯(lián)包括串聯(lián)和并聯(lián)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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