[實(shí)用新型]一種晶體硅太陽(yáng)電池無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201120232467.0 | 申請(qǐng)日: | 2011-07-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202120925U | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃欽;王平;李曉華 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 常州盛世電子技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/0224 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 常州佰業(yè)騰飛專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 金輝 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶體 太陽(yáng)電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種晶體硅太陽(yáng)電池。
背景技術(shù)
太陽(yáng)能電池是通過(guò)光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。太陽(yáng)能電池作為綠色能源,越來(lái)越受到人們的關(guān)注。太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中,一般將導(dǎo)電漿料絲網(wǎng)印刷在電池片的正負(fù)表面上形成電極,利用電極將電池片的電能導(dǎo)出。目前,傳統(tǒng)工藝要用二次燒結(jié)才能形成良好的帶有金屬電極歐姆接觸,且傳統(tǒng)工藝的太陽(yáng)能電池成本高、轉(zhuǎn)換效率低。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供一種節(jié)省漿料、轉(zhuǎn)換效率高的晶體硅太陽(yáng)電池。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種晶體硅太陽(yáng)電池,由減反射膜、N型硅、PN結(jié)、P型硅依次復(fù)合而成。
上述技術(shù)方案所述減反射膜的表面上設(shè)置有網(wǎng)版圖形印刷形成的上電極。
上述技術(shù)方案所述上電極包括2根縱向?qū)ΨQ(chēng)的主柵和54根橫向等距分布的副柵。
上述技術(shù)方案所述P型硅的下表面上設(shè)置有網(wǎng)版圖形印刷形成的下電極。
上述技術(shù)方案所述下電極包括背電場(chǎng)和3組成對(duì)的背電極。
本實(shí)用新型的有益效果:
(1)本實(shí)用新型采用PECVD沉積氮化硅膜作為太陽(yáng)電池的減反射膜,主要作用是減少光的反射,而且氮化硅膜含有大量的氫,可以很好的鈍化硅中的表面懸掛鍵,從而提高了載流子遷移率;密集均勻的絨面可增加光的吸收面積,提高單晶硅太陽(yáng)電池的短路電流,從而提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
(2)本實(shí)用新型應(yīng)用銀鋁漿料制作電極和背電場(chǎng),優(yōu)化圖形設(shè)計(jì),不僅確保了電極良好的導(dǎo)電性、可焊性以及背電場(chǎng)的平整性,更具有優(yōu)異的印刷性能、附著力高、彎曲度低和轉(zhuǎn)換效率高的優(yōu)點(diǎn)。
附圖說(shuō)明
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
圖1是本實(shí)用新型的層狀結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型的上電極的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本實(shí)用新型的下電極的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中1.上電極,11.主柵,12.副柵,2.減反射膜,3.N型硅,4.PN結(jié),5.P型硅,6.下電極,61.背電極,62.背電場(chǎng)。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步描述。
如圖1-3所示的一種晶體硅太陽(yáng)電池,由減反射膜2、N型硅3、PN結(jié)4、P型硅5依次復(fù)合而成,減反射膜2的表面上設(shè)置有網(wǎng)版圖形印刷形成的上電極1,上電極1包括2根縱向?qū)ΨQ(chēng)的主柵11和54根橫向等距分布的副柵12,P型硅5的下表面上設(shè)置有網(wǎng)版圖形印刷形成的下電極6,下電極6包括背電場(chǎng)62和3組成對(duì)的背電極61。
應(yīng)當(dāng)理解,以上所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。由本實(shí)用新型的精神所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之中。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





