[實用新型]一種晶體硅太陽電池無效
| 申請號： | 201120232467.0 | 申請日： | 2011-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN202120925U | 公開（公告）日： | 2012-01-18 |
| 發明（設計）人： | 黃欽;王平;李曉華 | 申請（專利權）人： | 常州盛世電子技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 金輝 |
| 地址： | 213144 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體 太陽電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶體硅太陽電池，其特征在于：由減反射膜(2)、N型硅(3)、PN結(4)、P型硅(5)依次復合而成。
2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述減反射膜(2)的表面上設置有網版圖形印刷形成的上電極(1)。
3.根據權利要求2所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述上電極(1)包括2根縱向對稱的主柵(11)和54根橫向等距分布的副柵(12)。
4.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述P型硅(5)的下表面上設置有網版圖形印刷形成的下電極(6)。
5.根據權利要求4所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述下電極(6)包括背電場(62)和3組成對的背電極(61)。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
