[實(shí)用新型]多圈排列IC芯片封裝件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201120228077.6
• 申請(qǐng)日: 2011-06-30
• 公開（公告）號(hào): CN202111082U
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱文輝;慕蔚;李習(xí)周;郭小偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天水華天科技股份有限公司;華天科技（西安）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L23/488
• 代理公司: 甘肅省知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)中心 62100
• 代理人: 鮮林

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電子信息自動(dòng)化元器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及到四邊扁平無(wú)引腳IC芯片封裝，具體說(shuō)是一種多圈排列IC芯片封裝件。

背景技術(shù)????

近年來(lái)，隨著移動(dòng)通信和移動(dòng)計(jì)算機(jī)領(lǐng)域便捷式電子元器件的迅猛發(fā)展，小型封裝和高密度組裝技術(shù)得到了長(zhǎng)足的發(fā)展；同時(shí)，也對(duì)小型封裝技術(shù)提出了一系列嚴(yán)格要求，諸如，要求封裝外形尺寸盡量縮小，尤其是封裝高度小于1㎜。封裝后的連接可靠性盡可能提高，適應(yīng)無(wú)鉛化焊接和有效降低成本。

QFN(Quad?Flat?No?Lead?Package)?型多圈IC芯片倒裝封裝的集成電路封裝技術(shù)是近幾年發(fā)展起來(lái)的一種新型微小形高密度封裝技術(shù)，是最先進(jìn)的表面貼裝封裝技術(shù)之一。由于無(wú)引腳、貼裝占有面積小，安裝高度低等特點(diǎn)，為滿足移動(dòng)通信和移動(dòng)計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的便捷式電子機(jī)器，如PDA、3G手機(jī)、MP3、MP4、MP5等超薄型電子產(chǎn)品發(fā)展的需要應(yīng)用而生并迅速成長(zhǎng)起來(lái)的一種新型封裝技術(shù)。目前的四邊扁平無(wú)引腳封裝件，由于引腳少，即I/O少，滿足不了高密度、多I/O封裝的需要，同時(shí)焊線長(zhǎng)，影響高頻應(yīng)用。而且QFN一般厚度控制在0.82mm～1.0㎜，滿足不了超薄型封裝產(chǎn)品的需要。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種能實(shí)現(xiàn)引腳間距為0.65mm～0.50?mm，I/O數(shù)達(dá)200個(gè)的高密度封裝四邊扁平無(wú)引腳的一種多圈排列IC芯片封裝件。?

本實(shí)用新型的技術(shù)問題采用下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種多圈排列IC芯片封裝件，包括引線框架、內(nèi)引腳、IC芯片及塑封體，所述引線框架采用有載體的引線框架，引線框架四邊繞圈排列有引線框架內(nèi)引腳，所述的IC芯片帶有凸點(diǎn)，凸點(diǎn)連接在內(nèi)引腳上。

所述引線框架采用無(wú)載體的引線框架。

所述的繞圈排列的內(nèi)引腳有第一圈內(nèi)引腳、第二圈內(nèi)引腳、第三圈內(nèi)引腳及第四圈內(nèi)引腳，每圈之間通過中筋和邊筋相連接，同一圈的內(nèi)引腳之間相連接。

所述引線框架每邊的內(nèi)引腳平行排列。

所述引線框架每邊的內(nèi)引腳交錯(cuò)排列。

所述的IC芯片的凸點(diǎn)連接在第一圈內(nèi)引腳上。

所述的IC芯片為倒裝上芯。

本實(shí)用新型的多圈QFN引線框架設(shè)計(jì)，可以比同樣面積的單排引線框架的引腳數(shù)設(shè)計(jì)增加40%以上；引腳與引線框架之間不需要鍵合線連接，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理。倒裝芯片（Flip-Chip）封裝技術(shù)的熱學(xué)性能明顯優(yōu)越于常規(guī)使用的引線鍵合工藝。由于凸點(diǎn)與框架（基板、芯片）直接接觸，其特點(diǎn)是熱傳導(dǎo)距離短，具有較好的熱性能。按照工作條件，散熱要求（最大結(jié)溫），環(huán)境溫度及空氣流量，封裝參數(shù)（如使用外裝熱沉，封裝及尺寸，基板層數(shù)，球引腳數(shù)）等，相比之下，F(xiàn)lip-Chip(倒裝芯片)封裝通常能產(chǎn)生25W耗散功率；Flip?Chip封裝的另一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)是電學(xué)性能。如今許多電子器件工作在高頻，因此信號(hào)的完整性是一個(gè)重要因素。由于凸點(diǎn)與框架（基板、芯片）直接接觸，減小了電路內(nèi)部焊接電感和電容，其特點(diǎn)是信號(hào)傳輸快，失真小，具有良好的電性能。在過去，2GHZ～3GHZ是IC封裝的頻率上限，F(xiàn)lip?Chip(倒裝芯片)封裝根據(jù)使用的基板技術(shù)可高達(dá)10?GHZ～40?GHZ，減小了電路內(nèi)部焊接電感和電容，其特點(diǎn)是良好的高頻性能。；可大大減小封裝厚度和重量；避免了焊線的交絲和開路，提高了測(cè)試良率和可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為腐蝕后的剖面示意圖。

圖3為磨削分離引腳后剖面示意圖。

圖4為激光分離引腳后剖面示意圖。

圖5為本實(shí)用新型內(nèi)引腳平行排列俯視圖。

圖6為本實(shí)用新型內(nèi)引腳交錯(cuò)排列俯視圖。

圖7為本實(shí)用新型采用無(wú)載體引線框架結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8為本實(shí)用新型無(wú)載體內(nèi)引腳平行排列俯視圖。

圖9為本實(shí)用新型無(wú)載體內(nèi)引腳交錯(cuò)排列俯視圖。

具體實(shí)施方式

一種多圈排列無(wú)載體IC芯片封裝件，包括引線框架、內(nèi)引腳、IC芯片及塑封體。本實(shí)用新型采用有載體的引線框架，在引線框架1四邊排列有第一圈內(nèi)引腳8、第二圈內(nèi)引腳9、第三圈內(nèi)引腳16及第四圈內(nèi)引腳18。每圈之間由中筋g和邊筋f相連接，同一圈的內(nèi)引腳之間相互連接。引線框架a、b、c、d四邊的每一圈內(nèi)引腳平行排列或交錯(cuò)排列。引線框架1的內(nèi)引腳上粘接有帶凸點(diǎn)的IC芯片3，IC芯片3倒裝上芯，IC芯片3的凸點(diǎn)4連接在第一圈內(nèi)引腳8上，?IC芯片背面是塑封體。