[實用新型]改善多線切割硅片入刀口處厚薄不均勻的裝置

有效

• 申請號: 201120225234.8
• 申請日: 2011-06-29
• 公開（公告）號: CN202147323U
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發明（設計）人: 汪貴發;蔣建松
• 申請（專利權）人: 浙江光益硅業科技有限公司
• 主分類號: B28D7/00
• 分類號: B28D7/00;B28D5/04
• 代理公司: 杭州裕陽專利事務所(普通合伙) 33221
• 代理人: 江助菊

技術領域

????本實用新型涉及多線切割領域加工半導體用單晶硅片和太陽能電池用單晶/多晶硅片的厚度控制技術，尤其是涉及一種改善多線切割硅片入刀口處厚薄不均勻的方法及裝置。

背景技術

硅片是半導體和光伏領域的主要基礎材料。硅片多線切割技術是目前世界上比較先進的硅片加工技術，它不同于傳統的刀鋸片、砂輪片等切割方式，也不同于激光切割，它是通過一根高速運動的鋼線帶動附著在鋼絲上的切割刃料對硅棒進行摩擦，從而達到切割目的。在整個過程中，鋼線通過若干導線輪的引導，在主線輥上形成一張線網，待加工工件1通過工作臺的下降實現工件的進給。由于多線切割通過一根0.10～0.12㎜細微的鋼線高速運動帶動附著在鋼絲上的切割刃料對工件（硅錠、硅棒）進行重復摩擦，實現工件（硅錠、硅棒）的切割。

在切割中時常遇到切割硅片厚度不均勻的現象，目前認為主要產生的原因包括：設備精度、工作臺、導輪、導向條粘膠等問題，各種問題均可導致線網抖動而產生切割硅片厚薄不均的現象，從而影響后續器件和光伏產品制造的使用，嚴重的甚至無法使用而報廢。從業研究人員致力于解決上述問題，但切割硅片厚度不均勻問題仍然時有發生，不能達到預期的效果。

現有技術在使用中，存在多線切割硅片厚度不均勻、不能達到預期效果的問題，主要在于忽略了硅片切割的過程中，同一組被切割硅棒或者硅錠（兩根或者多根）如果高度不一致，存在高低差，在入刀時就導致線網不平、受力不勻、跳動而產生切割硅片厚薄不均勻的問題。而多線切割硅片在入刀口處出現厚薄不均勻現象是最常見和多發。

在實際生產上由于工件（硅棒、硅錠）、玻璃條、工件連接板尺寸都存在有正負公差加上工件連接板與玻璃條粘接、玻璃條與工件（硅棒、硅錠）粘接之間粘膠厚度涂布不均勻的偏差，四者粘接組合后的總疊加公差會相差很多，同組兩支工件掛機后對零位時，會觀察到工件進給起始位置與線網面碰觸的平行度不一致的問題（參見圖2-6），工件存在一高一低或者一邊高一邊低傾斜的狀態情況。具體實施時，同組工件進給起始位置與線網面碰觸平行度不一致，存在高低差。?

發明內容

本實用新型為解決現有多線切割硅片厚薄不均勻的問題，提供一種彌補現有技術空缺、改善多線切割硅片厚薄均勻性的裝置。

本實用新型解決上述問題的技術方案是：一種改善多線切割硅片入刀口處厚度均勻性的裝置，包括進給機構，設置于進給機構上的燕尾槽，固定工件的工件壓塊，通過粘膠劑粘接的工件、玻璃條、工件連接板，工件壓塊與工件連接板連接，作為本實用新型裝置的改進，還包括若干插片，所述的若干插片之一或數個疊加插片設置于工件壓塊頂的一端或兩端、位于工件壓塊頂端與燕尾槽頂壁之間，調節同組工件進給起始位置與線網面碰觸的平行度和高度差相一致。

作為本實用新型裝置的進一步改進，所述的插片為與測量插片厚度相應的塞尺單片。

本實用新型與現有技術相比較，其有益效果是：通過測量調整工件進給起始位置平行度，彌補了現有技術的空白，進一步的利用現有規格齊全的塞尺，對工件進給起始位置與線網面碰觸平行度不一致，存在高低差時作出精確的測量，在測試出差值的同時并利用和選取同規格的塞尺單片與工件壓塊相配合，調節同組工件，對存在高低差的工件進給起始位置與線網碰觸面作出精確的調整，達到并確保同組被切割工件進給起始位置與線網面碰觸的平行度一致，有效改善多線切割硅片入刀口處厚薄不均勻的目的。

本實用新型的裝置經實踐使用證明，方法科學、新型適用，精度高，選用方便，效果明顯。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖。

圖2-6是本實用新型同組工件進給起始位置的幾種狀態。

具體實施方式

下面結合實施案例進一步闡述本實用新型的裝置。

參見圖1-5，本實施案例包括進給機構1，設置于進給機構1上的燕尾槽2，固定工件3（即硅棒或硅錠）的工件壓塊4，通過粘膠劑粘接的工件3、玻璃條5、工件連接板6，工件壓塊4與工件連接板6連接，若干插片8，其中，若干插片8之一或數個疊加插片8設置于工件壓塊4頂的一端或兩端、位于工件壓塊4與燕尾槽2與燕尾槽2頂壁之間，調節同組工件3進給起始位置與線網7面碰觸的平行度一致。

插片8為與插片8厚度相應的塞尺單片。

本實用新型具體應用包括以下步驟：

第一步：工件3一體件與工件壓塊4連接并掛機安裝。