[實用新型]大功率LED封裝結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120212420.8 | 申請日： | 2011-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN202111154U | 公開（公告）日： | 2012-01-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李革勝 | 申請（專利權）人： | 浙江英特來光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/52;H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司： | 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109 | 代理人： | 尉偉敏 |
| 地址： | 322000 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 大功率 led 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種大功率LED封裝結構，包括基座，在基座上設置有發(fā)光芯片，其特征在于：所述基座為印制電路板（2），在所述印制電路板（2）上注塑形成有一層硅樹脂層（1），硅樹脂層（1）與印制電路板（2）表面密封相接。
2.根據權利要求1所述的一種大功率LED封裝結構，其特征是在所述印制電路板（2）的四角上分別設置有通孔（3），所述硅樹脂層（1）伸入到通孔內。
3.根據權利要求1或2?所述的一種大功率LED封裝結構，其特征是在所述印制電路板（2）中間嵌置有沉銅散熱片（6），所述沉銅散熱片上部露置在印制電路板（1）上表面，沉銅散熱片下部露置在印制電路板（1）下表面上，所述發(fā)光芯片（5）設置在沉銅散熱片（6）上表面上。
4.根據權利要求3所述的一種大功率LED封裝結構，其特征是所述沉銅散熱片（6）側面為階梯狀，所述印制電路板（1）與沉通散熱片配合相接。
5.根據權利要求2所述的一種大功率LED封裝結構，其特征是在所述印制電路板（2）的背面上還設置有沉銅電極（7），所述沉通電極與通孔（3）相連。
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