[實用新型]沉積腔

有效

• 申請號: 201120130232.0
• 申請日: 2011-04-28
• 公開（公告）號: CN202054890U
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 黃平;王烜;唐黎華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/32
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術，尤其涉及一種沉積腔。

背景技術

物理氣相沉積(Physical?Vapor?Deposition，PVD)技術是在真空條件下，采用物理方法，將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體(或等離子體)過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。

自電離等離子體(self?ionized?plasma)是一種物理氣相沉積方法，圖1所示為采用自電離等離子體技術的沉積腔的剖視圖，該沉積腔包括加熱器(圖1中未示)、臺座110和座環120，所述臺座110設置在所述加熱器上，所述座環120與所述臺座110相連。

如圖2所示，所述臺座110的邊緣111呈臺階狀，所述臺座110的中央區112相對所述臺座110的邊緣111向上凸起，所述臺座110的邊緣111設有突起113。

如圖3所示，所述座環120設有內環121和外環122，所述外環122環繞在所述內環121外，且與所述內環121呈臺階狀連接，所述內環121相對所述外環122向上凸起，所述內環121內設有凹槽123；所述凹槽123與所述突起113相匹配，所述座環120與所述臺座110相連時，所述臺座110的突起113插在所述座環120的凹槽123內，用以防止所述座環120相對所述臺座110滑動，如圖1所示；所述臺座110除其底端面外，其余表面以及所述臺座110的突起113表面均涂有鋁層，所述座環120采用陶瓷材料制成。

沉積薄膜時，所述臺座110上施加強電壓，晶圓(圖1中未示)支撐在所述內環121上，由于所述座環120采用陶瓷材料制成，可防止所述晶圓與所述臺座110電接觸，但是，所述凹槽123的封閉端124非常薄，而且所述座環120每隔一段時間就要清洗一次，每清洗一次，就對所述凹槽123的封閉端124磨損一次，使所述凹槽123的封閉端124越來越薄，這容易導致施加在所述臺座110上的強電壓將所述凹槽123的封閉端124擊穿，使所述晶圓與所述臺座110電接觸，從而損壞所述晶圓，實驗表明，若所述凹槽123的封閉端124發生電擊穿，會造成所述晶圓中90％的芯片報廢。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種沉積腔，座環與臺座之間采用接觸片來防止兩者相對滑動，可防止座環被電擊穿，從而防止晶圓與臺座電接觸。

為了達到上述的目的，本實用新型提供一種沉積腔，包括臺座、與所述臺座相連的座環，其特征在于，所述臺座設有至少一個凹口，所述座環設有至少一片接觸片，所述座環與所述臺座相連時，所述接觸片卡在所述凹口內。

上述沉積腔，其中，所述臺座包括中央區和邊緣區，所述邊緣區環繞在所述中央區外，且與所述中央區呈臺階狀連接，所述凹口設置在所述邊緣區的邊沿處。

上述沉積腔，其中，所述凹口的數量為3～6個，多個所述凹口沿同一圓周均勻分布。

上述沉積腔，其中，所述凹口呈拱門狀。

上述沉積腔，其中，所述座環包括內環和外環，所述外環環繞在所述內環外，且與所述內環呈臺階狀連接，所述接觸片設置在所述外環的內側壁上。

上述沉積腔，其中，所述接觸片的數量為3～6片，多片所述接觸片沿同一圓周均勻分布。

上述沉積腔，其中，所述接觸片呈拱門狀。

本實用新型的沉積腔在所述臺座上設凹口，在所述座環上設接觸片，當所述座環與所述臺座相連時，所述接觸片卡在所述凹口內，所述座環與所述臺座之間的這種接觸方式不會對所述座環的厚度產生影響，施加在所述臺座上的強電壓很難擊穿所述座環，從而能防止晶圓與所述臺座電接觸。

附圖說明

本實用新型的沉積腔由以下的實施例及附圖給出。

圖1是現有技術的沉積腔的剖視圖。

圖2是現有技術中臺座的剖視圖。

圖3是現有技術中座環的剖視圖。

圖4是本實用新型實施例的沉積腔的剖視圖。

圖5是本實用新型實施例的沉積腔的臺座的俯視圖。

圖6是圖5中的A-A剖視圖。

圖7是本實用新型實施例的沉積腔的座環的俯視圖。

圖8是圖7中的B-B剖視圖；

具體實施方式

以下將結合圖4～圖8對本實用新型的沉積腔作進一步的詳細描述。

圖4所示為本實用新型實施例的沉積腔的剖視圖；

如圖4所示，該沉積腔包括加熱器(圖4中未示)、臺座210和座環220，所述臺座210設置在所述加熱器上，所述座環220與所述臺座210相連；