[實用新型]一種復合式大功率元器件用基板無效
| 申請號: | 201120129798.1 | 申請日: | 2011-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN202034362U | 公開(公告)日: | 2011-11-09 |
| 發明(設計)人: | 熊大曦;李蕊 | 申請(專利權)人: | 蘇州科醫世凱半導體技術有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L23/14 | 分類號: | H01L23/14;H01L23/373;H01L23/367 |
| 代理公司: | 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232 | 代理人: | 傅靖 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復合 大功率 元器件 用基板 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種金屬基板,具體涉及一種復合式大功率元器件用基板。
背景技術
在電子工業中,通常大功率的通訊路板或大功率LED光源進行正常工作下,會產生大量的熱,這些熱量若不及時排出到環境中,會引起電子元器件溫度的升高,影響其正常工作,有時甚至損毀。
目前,為了達到良好的散熱效果,通常利用的基板為陶瓷基板或金屬基板,金屬基板在運用時必須在其與線路板之間設置一層絕緣層,來保證電路的隔離,而該絕緣層的導熱系數較低,導致整個金屬基板的散熱性能下降;然而采用陶瓷基板,散熱效果較好,但成本較高,且不能實現熱電分離。
因此,一種導熱性能較好且成本較低,又具有熱電分離優勢的復合式大功率元器件用基板亟待提出。
實用新型內容
為解決上述技術問題,本實用新型的目的在于提供一種導熱性能較好且成本較低,又具有熱電分離優勢的復合式大功率元器件用基板。
為達到上述目的,本實用新型的技術方案如下:一種復合式大功率元器件用基板,包括金屬基板和陶瓷基板,所述金屬基板上開設有第一腔體,所述陶瓷基板裝設于所述第一腔體中;
所述陶瓷基板上裝設有大功率元器件,所述大功率元器件通過金屬連線和金屬基板線路直接連接,電流不會經過陶瓷基板底部。
優選的,所述金屬基板的上端面設置有絕緣層。
優選的,所述絕緣層上設置有連接引線的接線端。
優選的,所述陶瓷基板與所述第一腔體相匹配。
優選的,所述陶瓷基板上開設有第二腔體,所述大功率元器件裝設于所述第二腔體中。
通過上述技術方案,本實用新型技術方案的有益效果是:一種復合式大功率元器件用基板,包括金屬基板和陶瓷基板,所述金屬基板上開設有第一腔體,所述陶瓷基板裝設于所述第一腔體中;所述陶瓷基板上裝設有大功率元器件,所述大功率元器件通過金屬連線和金屬基板線路直接連接,電流不會經過陶瓷基板底部;采用本實用新型提供的復合式大功率元器件用基板,既具有效果好、熱電分離的優勢,又具有低成本的優點;將裝有大功率元器件的陶瓷基板,裝設于所述金屬基板上,當大功率元器件工作時,所述陶瓷基板將產生的熱傳給所述金屬基板(中間沒有絕緣層的介入),在相同傳熱效率的條件下,本實用新型所采用的陶瓷基板體積較小,成本較低,一定程度上提高了經濟效益。
另外,采用所述的復合式大功率元器件用基板,元器件從陶瓷基板的上方與接線端進行電連接,產生的熱從陶瓷基板的下方進行散熱,產出的熱再傳導到金屬基板上,進一步進行散熱,電從陶瓷基板的上方引出,熱從陶瓷基板的下方引出,從而實現了熱電分離。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本實用新型一種隔離式金屬基板實施例1的剖面圖;
圖2為本實用新型一種隔離式金屬基板實施例2的剖面圖。
圖中數字所表示的相應部件名稱:
1.金屬基板????????2.陶瓷基板????????3.絕緣層????????4.接線端5.第一腔體????6.大功率元器件
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
本實用新型提供了一種導熱性能較好且成本較低,又具有熱電分離優勢的復合式大功率元器件用基板。
實施例1,
如圖1所示,一種復合式大功率元器件用基板,包括金屬基板1和陶瓷基板2,所述金屬基板1上開設有第一腔體5,所述陶瓷基板2裝設于所述第一腔體5中,所述陶瓷基板2與所述第一腔體5相匹配,所述陶瓷基板2上裝設有大功率元器件6,所述大功率元器件6通過金屬連線和金屬基板線路直接連接,電流不會經過陶瓷基板底部。
所述陶瓷基板2上開設有第二腔體(未示出),所述大功率元器件6裝設于所述第二腔體中。
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