[實用新型]一種TO3P防水密封引線框架

有效

• 申請號: 201120114906.8
• 申請日: 2011-04-19
• 公開（公告）號: CN202172065U
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 侯友良
• 申請（專利權）人: 無錫紅光微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 無錫盛陽專利商標事務所(普通合伙) 32227
• 代理人: 顧吉云

技術領域

????本實用新型涉及半導體器件封裝的技術領域，具體為一種TO3P防水密封引線框架。

背景技術

現有的TO3P密封引線框架，芯片與引線框架的芯片部基片裝配到位后進行塑封，由于芯片底部基島的四周是平面，故引線框架與塑膠的結合強度低，防水性差。?

發明內容

針對上述問題，本實用新型提供了一種TO3P防水密封引線框架，其使得引線框架與塑膠的結合強度高、防水性好。

一種TO3P防水密封引線框架，其技術方案是這樣的：其包括散熱固定部、芯片底部基島、外引腳，所述芯片底部基島的中心安裝芯片，其特征在于：所述芯片底部基島的中心四周開有V型擋水槽，所述芯片底部基島的V型擋水槽外側的四周開有凹凸槽。

其進一步特征在于：所述芯片底部基島的中心四周的所述V型擋水槽相互連通形成一個閉合空間；

所述芯片底部基島的中心四周的所述凹凸槽相連通形成一個閉合空間；

所述凹凸槽具體為任意兩個相鄰的凹槽的中間部分不挖槽而組合形成的結構。

采用本實用新型的上述結構后，芯片安裝在芯片部基島的中心后，由于凹凸槽的存在，塑封后的引線框架與塑膠的結合強度高、防水性好，由于V型擋水槽的存在，進一步確保了防水性。

附圖說明

圖1是本實用新型結構示意圖；

圖2是圖1的A-A剖結構示意放大圖；

圖3是圖2的B-B剖結構示意放大圖。

具體實施方式

見圖1、圖2、圖3，其包括散熱片固定部1、芯片底部基島2、外引腳3，芯片底部基島2的中心安裝芯片（圖中未畫出，屬于現有成熟結構），芯片底部基島2的中心的四周開有V型擋水槽4，芯片底部基島2的位于V型擋水槽4外部的四周開有凹凸槽5，四周的V型擋水槽4相連通形成一個閉合空間；四周的凹凸槽5相連通形成一個閉合空間，凹凸槽5具體為任意兩個相鄰的凹槽6的中間部分不挖槽而組合形成的結構。

其中：TO3P為引線框架的型號。