[實用新型]陶瓷基片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120096500.1 | 申請日： | 2011-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN202217656U | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王紅 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州文迪光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/15 | 分類號： | H01L23/15;H01L23/373;C04B35/10;C04B35/581;C04B41/88;C04B41/90 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215129 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陶瓷 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種陶瓷基片，其特征在于：所述陶瓷基片上具有至少一個斜面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基片，其特征在于：所述陶瓷基片的橫截面為梯形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基片，其特征在于：所述陶瓷基片的一個斜面上鍍有可形成導(dǎo)電電路的金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷基片，其特征在于：所述金屬層由內(nèi)向外依次包括鈦鎢合金層和黃金層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷基片，其特征在于：所述金屬層由內(nèi)向外依次包括鈦金屬層、鉑金層和黃金層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基片，其特征在于：所述斜面傾斜的角度為30°至60°。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陶瓷基片，其特征在于：所述斜面傾斜的角度為45°至55°。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基片，其特征在于：所述陶瓷基片為Al2O3陶瓷基片或AlN陶瓷基片。?
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