[實用新型]CMOS硅器件

無效

• 申請號: 201120086232.5
• 申請日: 2011-03-29
• 公開（公告）號: CN202058738U
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 白蓉蓉;劉忠志;曹靖;向毅海
• 申請（專利權）人: 北京昆騰微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/36
• 分類號: H01L29/36;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種CMOS硅器件，其特征在于，包括：

P型硅襯底；

P阱，位于所述P型硅襯底中，所述P阱中具有P+注入區；

N阱，位于所述P型硅襯底中，所述N阱和所述P阱由所述P型硅襯底隔離，所述N阱中具有N+注入區。

2.根據權利要求1所述的CMOS硅器件，其特征在于，所述N阱和所述P阱之間的距離W_P滿足如下關系：

WP>[2ϵsq1NA(VBJ-VA)(1+NAND)]12]]>

所述N阱中的N+注入區與所述N阱的邊緣之間的距離W_N1滿足如下關系：

WN1>[2ϵsq1ND(VBJ-VA)(1+NDNA)]12]]>

其中，ε_s是硅的絕對介電常數，q是電子電荷，N_A是所述P型硅襯底的摻雜濃度，N_D是所述N阱的摻雜濃度，V_BJ是所述N阱和P型硅襯底形成的PN結的內建電勢，V_A為所述P阱與所述N阱之間的電勢差。

3.根據權利要求1或2所述的CMOS硅器件，其特征在于，所述N阱中還具有兩個P+注入區，所述N阱上具有一個多晶硅柵，所述多晶硅柵位于所述兩個P+注入區之間。

4.根據權利要求3所述的CMOS硅器件，其特征在于，所述N阱中的P+注入區與所述N阱的邊緣之間的距離W_N2滿足如下關系：

WN2>[2ϵsq1ND(VBJ-VA)(1+NDNA)]12]]>

其中，ε_s是硅的絕對介電常數，q是電子電荷，N_A是所述P型硅襯底的摻雜濃度，N_D是所述N阱的摻雜濃度，V_BJ是所述N阱和P型硅襯底形成的PN結的內建電勢，V_A為所述P阱與所述N阱之間的電勢差。